在低頻段，GaAs HBT的柵極長度通常在0.25至0.5微米之間，“要做到毫米波頻率，多數(shù)器件廠商會選用柵極長度在0.1至0.15微米的工藝，”Higham說，“Qorvo推出了90nm的GaAs工藝，不過90nm已經(jīng)是現(xiàn)在量產(chǎn)GaAs工藝的極限尺寸了。”[pagebreak]

基礎(chǔ)設(shè)施

實(shí)際應(yīng)用中，帶相控陣天線的手機(jī)將發(fā)射信號給基站和微蜂窩基站，基站和微蜂窩基站將與相控陣天線對接以實(shí)現(xiàn)信號連接。

要實(shí)現(xiàn)上述功能，還有一些問題要解決。例如，天氣狀況會影響信號路徑。“在毫米波頻段，由于氧氣和吸收造成的路徑損失會更大，”Anokiwave CEO Robert Donahue說道，“解決方法是采用波束成型技術(shù)?！?/span>

Anokiwave剛剛發(fā)布一款被稱為“5G四核”的IC，工作頻率為28GHz，具備相控陣功能。這款IC使用硅鍺工藝，可用于微蜂窩基站等系統(tǒng)。

理論上，這種芯片可與基站通信。與4G不同，4.5G和5G設(shè)備必須支持大規(guī)模MIMO技術(shù)?；臼褂玫纳漕l功率管一般采用LDMOS工藝，但現(xiàn)在LDMOS工藝正在被氮化鎵（GaN）工藝取代。

“和LTE-A一樣，5G基礎(chǔ)設(shè)施也會移到更高的頻率以拓寬數(shù)據(jù)帶寬，”穩(wěn)懋半導(dǎo)體高級副總裁David Danzilio說道，穩(wěn)懋半導(dǎo)體提供GaAs和GaN工藝代工服務(wù)?！半S著LTE邁向更高頻率，GaN技術(shù)已經(jīng)開始擴(kuò)大市場份額?！?/span>