褚君浩，中國科學院院士，中科智庫首批入庫專家兼審核委員會委員，半導體物理和器件專家，中國科學院上海技術物理研究所研究員，東華大學理學院院長。

長期從事紅外光電子材料和器件的研究，在窄禁帶半導體物理和鐵電薄膜材料器件物理等方面做了系統(tǒng)的有國際影響的研究結果。近年來主要從事新材料新結構高性能新型光電子材料和器件研究。發(fā)現(xiàn)窄禁帶半導體碲鎘汞帶間光躍遷本征吸收光譜，發(fā)展了碲鎘汞能帶結構理論和光躍遷理論；提出了HgCdTe的禁帶寬度等關系式，被國際上稱為CXT公式，廣泛引用并認為與實驗結果最符合；解決了碲鎘汞薄膜材料和焦平面列陣器件研制中涉及的有關重要基礎問題。開展鐵電薄膜材料物理和非制冷紅外探測器研究，研制成功PZT和BST鐵電薄膜非制冷紅外探測器并實現(xiàn)了熱成像。

曾經(jīng)獲得國家自然科學獎、中國科學院自然科學獎、中國科學院科技進步獎、上海市科技進步等獎。先后獲國家重點實驗室計劃先進個人獎、國家973計劃先進個人獎，是國家自然科學基金創(chuàng)新研究群體學術帶頭人。發(fā)表學術論文600余篇，中英文專著三部，編著10部，專利70余項。