近日,據(jù)外媒消息,英特爾業(yè)績電話會議上,宣布2017年將建一座7nm芯片試驗工廠,用以探索芯片生產(chǎn)工藝。據(jù)其表示,雖然這座工廠產(chǎn)能有限,但是卻為未來7nm芯片的生產(chǎn)奠定了基礎。
“這條試驗生產(chǎn)線是為了搞清楚如何進行芯片的量產(chǎn)?!?/span>MercuryResearch首席分析師DeanMcCarron說道,“一旦確定了制作工藝,其他的工廠就會進行復制?!庇⑻貭柋硎?,他們將試圖憑借著7nm工藝回到2年生產(chǎn)周期,同時使用更智能的芯片設計。
英特爾介紹,7nm工藝將為芯片帶來更大的設計變化,使其變得更小也更節(jié)能。英特爾計劃使用奇特的III-V材料(比如氮化鎵)來進行芯片生產(chǎn),在提高性能速度的同時實現(xiàn)更長續(xù)航。
此外,英特爾還希望利用7nm去緩解他們在14/10nm處理器上遇到的一些挑戰(zhàn)。據(jù)悉,他們將會在生產(chǎn)中引入極紫外線(EUV)工具,來幫助進行更加精細的功能蝕刻。但在此之前,這項技術(shù)的實裝已經(jīng)被延期數(shù)次。
英特爾的試驗工廠將會測試7nm芯片生產(chǎn)工藝。雖然他們并未提及會在何時開始這種芯片的量產(chǎn),但至少不會在未來2-3年內(nèi)。
目前,包括Globalfoundries和三星在內(nèi)的芯片廠商也開始了在7nm工藝上的探索。Globalfoundries表示,他們將在2018年開始7nm芯片的生產(chǎn),ARM也發(fā)布了7nm芯片的設計工具。但目前我們并不清楚Globalfoundries是否會進行7nm芯片的測試生產(chǎn),還是直接開始大批量生產(chǎn)。