Part 10:ISO 26262導(dǎo)則(作為Part1~9的補(bǔ)充,對(duì)特定項(xiàng)目的解說(shuō)及事例的指南);
Part 11:半導(dǎo)體應(yīng)用指南。
AEC-Q
當(dāng)我們談?wù)撈?chē)電子時(shí),就不得不提AEC-Q100,作為公認(rèn)的車(chē)規(guī)元器件通用測(cè)試標(biāo)準(zhǔn),它被視為芯片前裝上車(chē)的“基本門(mén)檻”。無(wú)論是環(huán)境關(guān)還是壽命關(guān),都可通過(guò)AEC-Q100這一標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行驗(yàn)證。對(duì)于汽車(chē)級(jí)芯片而言,AEC-Q100是基本可靠性的要求。AEC全稱(chēng)為汽車(chē)電子協(xié)會(huì)(Automotive Electronics Council),由通用、福特和克萊斯勒共同建立,旨在制定一套通用的零件資質(zhì)及質(zhì)量系統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)。其中,Q代表Qualification。AEC-Q適用于汽車(chē)用芯片、無(wú)源器件、分立半導(dǎo)體器件等類(lèi)型元器件認(rèn)證,并為不同的元器件設(shè)定了相應(yīng)的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)和測(cè)試項(xiàng)。
AEC-Q標(biāo)準(zhǔn)體系
車(chē)規(guī)級(jí)的電子元件對(duì)環(huán)境要求、抗振動(dòng)沖擊、可靠性和一致性等方面要求嚴(yán)格,所以必須采用更先進(jìn)的技術(shù)和更苛刻的測(cè)試程序。以AEC-Q100為例,規(guī)范了測(cè)試7大類(lèi)別:
測(cè)試群組A(環(huán)境壓力加速測(cè)試);
測(cè)試群組B(使用壽命模擬測(cè)試);
測(cè)試群組C(封裝組裝整合測(cè)試);
測(cè)試群組D(芯片晶圓可靠度測(cè)試);
測(cè)試群組E(電氣特性確認(rèn)測(cè)試);
測(cè)試群組F(瑕疵篩選監(jiān)控測(cè)試);
測(cè)試群組G(封裝凹陷整合測(cè)試)。
只有完全通過(guò)7大類(lèi)別共41項(xiàng)測(cè)試后,才能獲得AEC-Q100認(rèn)證。AEC-Q系列認(rèn)證,完成全部測(cè)試,平均最低時(shí)間也需要大概6個(gè)月左右,認(rèn)證等級(jí)請(qǐng)參考下圖:
AEC-Q認(rèn)證等級(jí)
AEC-Q的要求非常嚴(yán)格,只有通過(guò)相對(duì)應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的全部測(cè)試項(xiàng)目,供應(yīng)商才能聲稱(chēng)該產(chǎn)品通過(guò)了相應(yīng)的AEC-Q認(rèn)證;符合這些規(guī)格的組件適用于惡劣的汽車(chē)環(huán)境,無(wú)需額外的組件級(jí)鑒定測(cè)試。同時(shí),AEC-Q標(biāo)準(zhǔn)是在不斷進(jìn)化的,特別是隨著高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)和自動(dòng)駕駛等新技術(shù)的發(fā)展,標(biāo)準(zhǔn)還將保持這種持續(xù)更新的狀態(tài)。
AEC-Q100驗(yàn)證流程參考下圖,以Die Design>Wafer Fab.>PKG Assembly>Testing的制造流程來(lái)繪制,各群組的關(guān)聯(lián)性需要參考圖中的箭頭符號(hào),這里將驗(yàn)證流程分為五個(gè)部分進(jìn)行簡(jiǎn)易說(shuō)明,各項(xiàng)測(cè)試的細(xì)節(jié)部分就不再細(xì)述。
AEC-Q100驗(yàn)證流程
Design House:可靠度實(shí)驗(yàn)前后的功能測(cè)試,此部分需IC設(shè)計(jì)公司與測(cè)試廠(chǎng)討論執(zhí)行方式,與一般IC驗(yàn)證主要差異在功能測(cè)試的溫度設(shè)定。
Wafer Foundry:D測(cè)試組為晶圓廠(chǎng)在Wafer Level的可靠度驗(yàn)證,F(xiàn)abless的IC業(yè)者必須與委托制造的晶圓廠(chǎng)取得相關(guān)資料。
Reliability Test:區(qū)域3為可靠性視產(chǎn)品包裝/特性需要執(zhí)行的項(xiàng)目,AEC將其分為Group A(加速環(huán)境應(yīng)力實(shí)驗(yàn))、Group B(加速工作壽命模擬)、Group C(封裝完整性測(cè)試)、Group E(電性驗(yàn)證測(cè)試)、Group G(空腔/密封型封裝完整性測(cè)試)。
Design Verification:部分Group E的區(qū)域4為設(shè)計(jì)階段的失效模式與影響分析評(píng)估,成品階段的特性驗(yàn)證以及故障涵蓋率計(jì)算。
Production Control:Group F的區(qū)域生產(chǎn)階段的品質(zhì)控管,包含良率/Bin使用統(tǒng)計(jì)手法進(jìn)行控管及制定標(biāo)準(zhǔn)處理流程。