儀器儀表商情網(wǎng)訊：近日，我國自主研制的4英寸高純半絕緣碳化硅(SiC)襯底產(chǎn)品面世。中國電子材料行業(yè)協(xié)會組織的專家認為，該成果國內(nèi)領先，已達到國際先進水平。
碳化硅基微波功率器件具有高頻、大功率和耐高溫的特性，是新一代雷達系統(tǒng)的核心。
關鍵詞:碳化硅 微波 新材料 瀏覽量：586
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