中國(guó)科學(xué)院地質(zhì)與地球物理研究所工程師薛旭等人以梳齒型MEMS加速度計(jì)為典型實(shí)施例，發(fā)明了一種適合MEMS尤其是MEMS慣性傳感器的集成封裝方法，并于近日獲得國(guó)家發(fā)明專利授權(quán)（專利名稱：一種MEMS傳感器封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法；發(fā)明人：薛旭，郭士超；專利號(hào)：ZL201410183524.9）。他們針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供了一種根據(jù)需要可方便拓展為多層級(jí)結(jié)構(gòu)的基座，并可將導(dǎo)線分層布設(shè)于基座中，可解決走線困難的問(wèn)題。
此外，他們還提供了一種低封裝應(yīng)力和氣密性較好的封裝結(jié)構(gòu)，采取低溫平行縫焊的低溫度封裝技術(shù)。MEMS與基座的粘接工藝與材料匹配以及溫度傳感器和MCU處理器有效布置，從材料應(yīng)力、算法補(bǔ)償、實(shí)時(shí)溫度校準(zhǔn)等多方面解決了MEMS慣性傳感器尤其是MEMS加速度傳感器的溫度系數(shù)大、溫度滯回大等難題，提高了生產(chǎn)效率，降低了成本。
該發(fā)明從偏置穩(wěn)定性、溫度特性以及工程化等幾個(gè)方面解決了一系列MEMS難題，相關(guān)技術(shù)已經(jīng)在課題組的樣機(jī)和產(chǎn)品上進(jìn)行了小批量試制，取得了較好的效果，初步達(dá)到了工程化及量產(chǎn)能力，具有一定的推廣應(yīng)用前景。
此外，他們還提供了一種低封裝應(yīng)力和氣密性較好的封裝結(jié)構(gòu)，采取低溫平行縫焊的低溫度封裝技術(shù)。MEMS與基座的粘接工藝與材料匹配以及溫度傳感器和MCU處理器有效布置，從材料應(yīng)力、算法補(bǔ)償、實(shí)時(shí)溫度校準(zhǔn)等多方面解決了MEMS慣性傳感器尤其是MEMS加速度傳感器的溫度系數(shù)大、溫度滯回大等難題，提高了生產(chǎn)效率，降低了成本。
該發(fā)明從偏置穩(wěn)定性、溫度特性以及工程化等幾個(gè)方面解決了一系列MEMS難題，相關(guān)技術(shù)已經(jīng)在課題組的樣機(jī)和產(chǎn)品上進(jìn)行了小批量試制，取得了較好的效果，初步達(dá)到了工程化及量產(chǎn)能力，具有一定的推廣應(yīng)用前景。
