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SiC MOSFET驅(qū)動電壓測試結(jié)果離譜的六大原因


  來源: 功率器件顯微鏡 時間:2022-05-10 編輯:清風
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引腳根部與遠離根部波形對比


總結(jié)


要想使用好SiC MOSFET,充分發(fā)揮其優(yōu)異的特性,使用合適的設備和測量方法獲得正確的波形非常重要。相信讀完本文的你,不會再被錯誤的波形坑了。

關(guān)鍵詞:SiC MOSFET 驅(qū)動電壓 測試    瀏覽量:11745

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