當(dāng)驅(qū)動(dòng)電壓為-4V/+15V時(shí)，通過上圖可以看到，是否正確補(bǔ)償對(duì)測(cè)量結(jié)果有非常大的影響。當(dāng)探頭未進(jìn)行阻抗匹配時(shí)，驅(qū)動(dòng)波形振蕩幅度明顯變大，測(cè)量量值也更大，這將會(huì)導(dǎo)致對(duì)驅(qū)動(dòng)電壓的誤判。當(dāng)探頭正確阻抗匹配時(shí)，驅(qū)動(dòng)電壓振幅更小，測(cè)量值與實(shí)際外加電壓一致。

原因4：無源探頭未使用最小環(huán)路測(cè)量

無源探頭標(biāo)配的接地線有接近10cm長，采用這樣的接地線時(shí)，會(huì)出現(xiàn)同高壓差分探頭一樣，即測(cè)量線圍出一個(gè)很大的面積，成為一個(gè)天線，測(cè)量結(jié)果會(huì)受到SiC MOSFET開關(guān)過程中高速變化的電流的影響。同時(shí)，過長的接地線可以看做一個(gè)電感，也會(huì)導(dǎo)致震蕩的產(chǎn)生。

為了降低這一影響，可以使用廠商標(biāo)配的彈簧接地針，其長度短、圍出的面積更小。從上圖中可以看到，使用標(biāo)配接地線時(shí)，驅(qū)動(dòng)波形震蕩嚴(yán)重，其峰值最大達(dá)到xxV，超過了SiC MOSFET柵極耐壓能力；當(dāng)使用彈簧接地針后，波形震蕩大大減輕了，幅值均在SiC MOSFET柵極耐壓能力范圍內(nèi)。

長接地線與短彈簧地線波形對(duì)比

示波器自帶長接地線、短彈簧地線

原因5：探頭高頻共模抑制比不夠

對(duì)于橋式電路中的上管SiC MOSFET，其S極為橋臂中點(diǎn)，其電壓在電路工作時(shí)是跳變的。其跳變的幅度為電路的母線電壓，對(duì)于1200V SiC MOSFET而言，母線電壓為800V；其跳變的速度為SiC MOSFET的開關(guān)速度，可達(dá)到100V/ns。此時(shí)要測(cè)量上管的驅(qū)動(dòng)電壓，就需要面對(duì)這樣高幅值、高速度跳變的共模電壓。

從上圖中可以看到，當(dāng)采用常見的高壓差分探頭時(shí)，驅(qū)動(dòng)波形振蕩更大，在第一個(gè)脈沖內(nèi)Ton時(shí)間測(cè)量值偏低，在Toff時(shí)間內(nèi)存在偏置，在第二個(gè)脈沖上升沿存在嚴(yán)重的震蕩。這主要是由于高壓差分探頭在高頻下的共模抑制比不夠?qū)е碌?，此時(shí)我們就需要使用具有更高共模抑制比的光隔離探頭來測(cè)量上管驅(qū)動(dòng)電壓波形。從下圖中可以看到，當(dāng)采用光隔離探頭后，波形震蕩明顯減小，第二脈沖上升沿的嚴(yán)重震蕩消失，在關(guān)斷時(shí)間內(nèi)電壓測(cè)量值與實(shí)際外加電壓接近。

光隔離探頭與高壓差分探頭波形對(duì)比

示意圖為泰克光隔離探頭ISOVu

原因6：測(cè)量點(diǎn)離器件引腳根部過遠(yuǎn)

4pin的圖片和等效示意圖

當(dāng)我們測(cè)量驅(qū)動(dòng)電壓波形時(shí)，探頭并不能直接接觸到SiC MOSFET芯片，而只是能接到器件的引腳上?？梢詫⑵骷囊_看作為電感，那么我們實(shí)際測(cè)得的驅(qū)動(dòng)電壓為真實(shí)的柵-源極電壓和測(cè)量點(diǎn)之間引腳電感上壓降之和。那么，測(cè)量點(diǎn)之間引腳長度越長，測(cè)量結(jié)果與SiC MOSFET芯片上真實(shí)的柵-源極電壓差異越大。

為了降低這一影響，需要將探頭接到器件引腳的根部，最大限度得縮短測(cè)量點(diǎn)之間引腳的長度。從下圖中可以看到，當(dāng)測(cè)量點(diǎn)位于引腳根部時(shí)，開通驅(qū)動(dòng)波形振蕩幅值及振蕩頻率明顯減少，關(guān)斷驅(qū)動(dòng)波形振蕩幅值也明顯減少。

探頭接引腳根部與遠(yuǎn)離根部