在國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目（61725505、11734016和61521005）等資助下，中國(guó)科學(xué)院上海技術(shù)物理研究所胡偉達(dá)研究員團(tuán)隊(duì)與復(fù)旦大學(xué)周鵬教授團(tuán)隊(duì)合作，在紅外光電探測(cè)器研究方面取得進(jìn)展。研究成果以“范德瓦爾斯單極勢(shì)壘光電探測(cè)器（Unipolar barrier photodetectors based on van der Waals heterostructures）”為題，于2021年5月25日在《自然·電子學(xué)》（Nature Electronics）上發(fā)表。論文鏈接：https://www.nature.com/articles/s41928-021-00586-w。

紅外光電探測(cè)器廣泛應(yīng)用于航天航空、氣象觀測(cè)、天文和生命科學(xué)等重要領(lǐng)域，科學(xué)技術(shù)壁壘高。長(zhǎng)期以來(lái)，如何抑制暗電流是制約紅外探測(cè)器實(shí)現(xiàn)高工作溫度（High Operating Temperature, HOT）的瓶頸。在傳統(tǒng)PN結(jié)紅外探測(cè)器中，耗盡區(qū)過(guò)高的Shockley-Read-Hall（SRH）復(fù)合、俄歇復(fù)合和表面復(fù)合限制了器件的暗電流抑制能力。因此，領(lǐng)域研究人員一直致力于尋求一種超越PN結(jié)的新型器件結(jié)構(gòu)。

圍繞這一難題，胡偉達(dá)研究員與周鵬教授合作團(tuán)隊(duì)獨(dú)辟蹊徑，利用二維原子層堆疊實(shí)現(xiàn)了能帶局域態(tài)有效調(diào)控，構(gòu)建的范德瓦爾斯單極勢(shì)壘探測(cè)器解決了傳統(tǒng)材料勢(shì)壘結(jié)構(gòu)外延生長(zhǎng)晶格失配和組分能帶梯度難以控制的難題。他們一方面利用單極勢(shì)壘阻擋吸收層中的多數(shù)載流子運(yùn)動(dòng)控制器件耗盡區(qū)分布，阻止其向?qū)拵兜膭?shì)壘層中轉(zhuǎn)移，有效降低了器件的SRH電流；另一方面，通過(guò)降低吸收層載流子濃度有效抑制了俄歇復(fù)合。此外，該單級(jí)勢(shì)壘結(jié)構(gòu)還具有類(lèi)表面鈍化的隔離作用，從而降低了器件的表面漏電。室溫下（T=300K）的測(cè)試結(jié)果表明，制備出的范德瓦爾斯nBn單極勢(shì)壘探測(cè)器暗電流低至15 pA，pBp單極勢(shì)壘探測(cè)器在中波紅外波段的黑體探測(cè)率達(dá)到2.3×1010 cmHz1/2W-1（黑體探測(cè)率是國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)化組織指定評(píng)價(jià)紅外探測(cè)性能的“國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)”指標(biāo)）（圖1）。

圖1 范德瓦爾斯單極勢(shì)壘光電探測(cè)器，（a）nBn單極勢(shì)壘能帶結(jié)構(gòu)及器件設(shè)計(jì)示意圖；（b）pBp單極勢(shì)壘能帶結(jié)構(gòu)及器件結(jié)構(gòu)示意圖；（c）nBn單極勢(shì)壘結(jié)構(gòu)器件的光開(kāi)關(guān)比-暗電流密度對(duì)比；（d）pBp單極勢(shì)壘結(jié)構(gòu)器件的室溫黑體紅外探測(cè)性能對(duì)比 BLIP: Background Limited Infrared Performance

該研究工作不僅為二維材料紅外探測(cè)器HOT暗電流過(guò)高的難題提供了解決思路，也為二維材料在紅外領(lǐng)域的實(shí)際應(yīng)用提供了技術(shù)方案。