對于光學(xué)IC，還需要對其進行給定光照條件下的電氣性能測試。

chiptest主要設(shè)備：探針平臺（包括夾持不同規(guī)格chip的夾具）

chiptest輔助設(shè)備：無塵室及其全套設(shè)備。

chiptest能測試的范圍和wafertest是差不多的，由于已經(jīng)經(jīng)過了切割、減薄工序，還可以將切割、減薄工序中損壞的不良品挑出來。但chiptest效率比wafertest要低不少。

packagetest是在芯片封裝成成品之后進行的測試。由于芯片已經(jīng)封裝，所以不再需要無塵室環(huán)境，測試要求的條件大大降低。

一般packagetest的設(shè)備也是各個廠商自己開發(fā)或定制的，通常包含測試各種電子或光學(xué)參數(shù)的傳感器，但通常不使用探針探入芯片內(nèi)部（多數(shù)芯片封裝后也無法探入），而是直接從管腳連線進行測試。

由于packagetest無法使用探針測試芯片內(nèi)部，因此其測試范圍受到限制，有很多指標無法在這一環(huán)節(jié)進行測試。但packagetest是最終產(chǎn)品的測試，因此其測試合格即為最終合格產(chǎn)品。

IC的測試是一個相當(dāng)復(fù)雜的系統(tǒng)工程，無法簡單地告訴你怎樣判定是合格還是不合格。

一般說來，是根據(jù)設(shè)計要求進行測試，不符合設(shè)計要求的就是不合格。而設(shè)計要求，因產(chǎn)品不同而各不相同，有的IC需要測試大量的參數(shù)，有的則只需要測試很少的參數(shù)。

事實上，一個具體的IC，并不一定要經(jīng)歷上面提到的全部測試，而經(jīng)歷多道測試工序的IC，具體在哪個工序測試哪些參數(shù)，也是有很多種變化的，這是一個復(fù)雜的系統(tǒng)工程。

例如對于芯片面積大、良率高、封裝成本低的芯片，通?？梢圆贿M行wafertest，而芯片面積小、良率低、封裝成本高的芯片，最好將很多測試放在wafertest環(huán)節(jié)，及早發(fā)現(xiàn)不良品，避免不良品混入封裝環(huán)節(jié)，無謂地增加封裝成本。

IC測試的設(shè)備，由于IC的生產(chǎn)量通常非常巨大，因此向萬用表、示波器一類手工測試一起一定是不能勝任的，目前的測試設(shè)備通常都是全自動化、多功能組合測量裝置，并由程序控制，你基本上可以認為這些測試設(shè)備就是一臺測量專用工業(yè)機器人。

IC的測試是IC生產(chǎn)流程中一個非常重要的環(huán)節(jié)，在目前大多數(shù)的IC中，測試環(huán)節(jié)所占成本常常要占到總成本的1/4到一半。

芯片測試的過程是將封裝后的芯片置于各種環(huán)境下測試其電氣特性，如消耗功率、運行速度、耐壓度等。經(jīng)測試后的芯片，依其電氣特性劃分為不同等級。而特殊測試則是根據(jù)客戶特殊需求的技術(shù)參數(shù)，從相近參數(shù)規(guī)格、品種中拿出部分芯片，做有針對性的專門測試，看是否能滿足客戶的特殊需求，以決定是否須為客戶設(shè)計專用芯片。經(jīng)一般測試合格的產(chǎn)品貼上規(guī)格、型號及出廠日期等標識的標簽并加以包裝后即可出廠。而未通過測試的芯片則視其達到的參數(shù)情況定作降級品或廢品。以下是芯片芯片測試流程解析：

在必備原材料的采集工作完畢之后，這些原材料中的一部分需要進行一些預(yù)處理工作。作為最主要的原料，硅的處理工作至關(guān)重要。首先，硅原料要進行化學(xué)提純，這一步驟使其達到可供半導(dǎo)體工業(yè)使用的原料級別。為了使這些硅原料能夠滿足芯片制造的加工需要，還必須將其整形，這一步是通過溶化硅原料，然后將液態(tài)硅注入大型高溫石英容器來完成的。

而后，將原料進行高溫溶化為了達到高性能處理器的要求，整塊硅原料必須高度純凈，及單晶硅。然后從高溫容器中采用旋轉(zhuǎn)拉伸的方式將硅原料取出，此時一個圓柱體的硅錠就產(chǎn)生了。從目前所使用的工藝來看，硅錠圓形橫截面的直徑為200毫米。在保留硅錠的各種特性不變的情況下增加橫截面的面積是具有相當(dāng)?shù)碾y度的，不過只要企業(yè)肯投入大批資金來研究，還是可以實現(xiàn)的。intel為研制和生產(chǎn)300毫米硅錠建立的工廠耗費了大約35億美元，新技術(shù)的成功使得intel可以制造復(fù)雜程度更高，功能更強大的芯片芯片，200毫米硅錠的工廠也耗費了15億美元。下面就從硅錠的切片開始介紹芯片的制造過程。