7月30日，中國科學院半導體研究所曝出儀器設備采購需求，將以903萬的價格采購兩臺等離子設備。兩臺設備分別為厚氮化硅感應耦合等離子體化學氣相沉積臺和硅基鈮酸鋰薄膜電感耦合等離子刻蝕機。前者用于光波導器件表面的氧化硅及氮化硅薄膜淀積，適用于波導器件中包層薄膜的沉積。后者用于堅硬材料刻蝕形成波導，專為刻蝕鈮酸鋰材料研發(fā)，也可刻蝕氧化硅等材料。

項目名稱：2019年中國科學院半導體研究所科研儀器設備采購項目（第三批）

項目編號：OITC-G190330983

采購單位聯(lián)系方式：

采購單位：中國科學院半導體研究所

地址：北京市海淀區(qū)清華東路甲35號

聯(lián)系方式：010-82304941/010-82304907

代理機構聯(lián)系方式：

代理機構：東方國際招標有限責任公司

代理機構聯(lián)系人：010-68290507

代理機構地址：北京市海淀區(qū)清華東路甲35號

采購詳情如下：

各設備工藝技術規(guī)格詳情：

厚氮化硅感應耦合等離子體化學氣相沉積臺

(1)氧化硅薄膜沉積

(2)氮化硅薄膜沉積

硅基鈮酸鋰薄膜電感耦合等離子刻蝕機

（1） 鈮酸鋰刻蝕工藝

（2） 氧化硅刻蝕工藝