近期，5G技術(shù)的布局和推進加速，而5G芯片領(lǐng)域也取得積極進展。我國企業(yè)和科研院所圍繞5G芯片積極布局，華為海思、展訊等企業(yè)正在加快5G基帶芯片研發(fā)進程；PA、濾波器等5G高頻器件的研發(fā)也已陸續(xù)展開。經(jīng)過長期積累，我國集成電路產(chǎn)業(yè)在移動芯片領(lǐng)域已取得巨大進展，但5G面臨的瓶頸問題依然突出。
問題1：關(guān)鍵核心技術(shù)缺失
國內(nèi)5G 芯片產(chǎn)品研發(fā)面臨國外專利封鎖，部分關(guān)鍵核心技術(shù)缺失，如國外射頻芯片和器件技術(shù)已經(jīng)非常成熟，尤其是面向高頻應(yīng)用的BAW和FBAR 濾波器，博通、Qorvo 等企業(yè)已有多年技術(shù)積累，我國BAW和FBAR專利儲備十分薄弱，自主研發(fā)面臨諸多壁壘。
問題2：制造水平依然落后
國內(nèi)5G 芯片缺乏成熟的商用工藝支撐，整體落后世界領(lǐng)先水平兩代以上。砷化鎵、氮化鎵等化合物半導(dǎo)體代工市場主要被穩(wěn)懋、宏捷科技等臺灣大廠壟斷；格羅方德、TowerJazz等廠商則在鍺硅和絕緣硅材料工藝方面技術(shù)領(lǐng)先。
問題3：產(chǎn)業(yè)配套有待完善
5G 芯片關(guān)鍵裝備及材料配套主要由境外企業(yè)掌控。設(shè)備方面，制造化合物半導(dǎo)體的關(guān)鍵核心設(shè)備MOCVD仍主要被德國愛思強和美國Veeco 所壟斷，國內(nèi)企業(yè)正在積極突破。材料方面，以日本住友為代表的企業(yè)在化合物半導(dǎo)體材料領(lǐng)域優(yōu)勢明顯；法國Soitec 和日本信越等企業(yè)在SOI 晶圓材料市場占有率較高；封裝用的高端陶瓷基板材料基本都是從日本和臺灣地區(qū)進口。
問題4：產(chǎn)業(yè)生態(tài)亟需營造
當(dāng)前我國5G芯片設(shè)計、制造、封測以及裝備材料配套等產(chǎn)業(yè)鏈上下游協(xié)同性不足，通信設(shè)備整機廠商和國外芯片廠商之間的合作慣性一時還難以打破，國內(nèi)芯片缺乏與軟件、整機設(shè)備、系統(tǒng)應(yīng)用、測試儀器儀表等產(chǎn)業(yè)生態(tài)環(huán)節(jié)的緊密互動。
因此，在5G終端芯片設(shè)計方面，芯片企業(yè)必須保持跟標(biāo)準(zhǔn)的同步。標(biāo)準(zhǔn)鎖定一個，產(chǎn)業(yè)就驗證一個，實現(xiàn)一個。除了智能手機，5G在工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)、智能制造、自動駕駛、無人機、個人娛樂設(shè)備以及云應(yīng)用等方面必將擁抱更多的市場機會。
