• 功率二極管：最傳統(tǒng)功率器件，市場空間超50億美元，受益供需關(guān)系及轉(zhuǎn)單效應(yīng)助力國廠率先突破。功率二極管作為品類中最傳統(tǒng)的功率器件，主要用于整流、開關(guān)、穩(wěn)壓等，全球市場規(guī)模超50億美元。目前市場相對分散，巨頭Vishay份額超10%，其余均不超8%，國廠揚(yáng)杰科技在2%左右。國際大廠由于產(chǎn)品毛利少逐步退出，導(dǎo)致供需緊張，交貨周期延長，價格持續(xù)上揚(yáng)，大陸和臺灣廠商有望憑借低成本優(yōu)勢以及產(chǎn)業(yè)扶持政策逐步占據(jù)市場，成為功率器件中率先突破的子領(lǐng)域。
• Si基MOSFET：消費(fèi)電子和汽車電子引領(lǐng)超70億美元市場。MOSFET將功率器件的應(yīng)用從工業(yè)應(yīng)用拓展到了4C領(lǐng)域，其中消費(fèi)和汽車占比超60%。目前國際巨頭英飛凌市場份額近28%，國廠士蘭微和華微電子則分別為1.9/1.1%，并且集中在低壓MOSFET等中低端產(chǎn)品。
• Si基IGBT：新能源汽車與發(fā)電占據(jù)70%產(chǎn)品需求，帶動每年超40億美元市場。IGBT集BJT與MOSFET優(yōu)點(diǎn)于一身，應(yīng)用拓展至新能源汽車、新能源發(fā)電、軌道交通等領(lǐng)域。國際龍頭英飛凌、三菱電機(jī)等CR4達(dá)70.8%，行業(yè)集中度高并且海外廠商優(yōu)勢明顯。國內(nèi)廠商方面，中國中車立足于動車用IGBT，產(chǎn)線滿產(chǎn)后將具備年產(chǎn)12萬片8英寸IGBT芯片和100萬只IGBT模塊能力。嘉興斯達(dá)已開發(fā)近600種IGBT模塊產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。
• SiC基器件：成本高，性能優(yōu)越，高端市場滲透有望提升。第三代SiC功率器件具有高壓、高頻、高效率、低損耗等優(yōu)勢。

第三代半導(dǎo)體材料功率器件：國外技術(shù)領(lǐng)先，國內(nèi)廠商處于布局階段

揚(yáng)州揚(yáng)杰科技股份有限公司

揚(yáng)杰科技是半導(dǎo)體分立器件行業(yè)的新興企業(yè)，是國家科技部火炬高技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)中心認(rèn)定的國家火炬計劃重點(diǎn)高新技術(shù)企業(yè)（批準(zhǔn)文號：國科火字[2010]287號），2009年經(jīng)江蘇省科技廳、財政廳、國家稅務(wù)局與地方稅務(wù)局聯(lián)合認(rèn)定的國家高新技術(shù)企業(yè)、江蘇省AAA級信用單位、江蘇省創(chuàng)新型企業(yè)。