這些功能有助于提高系統(tǒng)穩(wěn)定性和可靠性，精度、穩(wěn)定性和速度之間不必相互妥協(xié)。為獲得精確電阻值，大金屬箔晶片電阻可通過有選擇地消除內(nèi)在“短板”進行修整。當需要按已知增量加大電阻時，可以切割標記的區(qū)域 (圖2)，逐步少量提高電阻。
圖2
合金特性及其與基片之間的熱機平衡力形成的標準溫度系數(shù)，在0 °C 至 + 60 °C 范圍內(nèi)為 ± 1 ppm/°C (Z 箔為0.05 ppm/°C) (圖3)。
圖3
采用平箔時，并聯(lián)電路設(shè)計可降低阻抗，電阻最大總阻抗為 0.08 uH。最大電容為 0.05 pF。1-k? 電阻設(shè)置時間在 100 MHZ以下小于 1 ns。上升時間取決于電阻值，但較高和較低電阻值相對于中間值僅略有下降。沒有振鈴噪聲對于高速切換電路是十分重要的，例如信號轉(zhuǎn)換。
100 MHZ 頻率下，1-k? 大金屬箔電阻直流電阻與其交流電阻的對比可用以下公式表示：
交流電阻/直流電阻 = 1.001
