在單晶爐、外延片生長(zhǎng)、高溫沉積或刻蝕等設(shè)備中，對(duì)晶體和晶圓的溫度控制至關(guān)重要，并且要求溫度分布高度均勻。半導(dǎo)體工藝過(guò)程需要在密閉腔體內(nèi)進(jìn)行，使用玻璃窗口與空氣隔絕。傳統(tǒng)的長(zhǎng)波紅外熱像儀檢測(cè)7~15μm的紅外線，無(wú)法透過(guò)玻璃窗口進(jìn)行觀測(cè)。巨哥科技的短波紅外熱像儀感應(yīng)0.9~2.5μm波長(zhǎng)的紅外線，可透過(guò)玻璃窗口實(shí)時(shí)觀測(cè)目標(biāo)，獲得全畫(huà)面的溫度分布信息。相比長(zhǎng)波熱像儀，短波熱像儀受目標(biāo)的表面狀態(tài)和發(fā)射率影響小，測(cè)溫準(zhǔn)確度更高，適合檢測(cè)溫度較高的目標(biāo)場(chǎng)景。

SW320短波紅外熱像儀

五：中長(zhǎng)波紅外熱像儀

中長(zhǎng)波熱像儀在半導(dǎo)體領(lǐng)域常用于晶圓、芯片、封裝體的熱圖分析和失效點(diǎn)定位。巨哥科技提供一系列響應(yīng)波長(zhǎng)、靈敏度和分辨率的中長(zhǎng)波紅外熱像儀，滿足不同場(chǎng)合的成像和測(cè)溫需求。F6非制冷長(zhǎng)波紅外熱像儀在0~500℃寬測(cè)溫范圍內(nèi)測(cè)溫準(zhǔn)確度優(yōu)于±0.7℃/0.7%。在真空或高氣壓環(huán)境(4atm)，或在高能激光（<2μm）環(huán)境中，F(xiàn)6均能準(zhǔn)確測(cè)溫。物體在低溫時(shí)的輻射能量很低，普通熱像儀的測(cè)溫誤差大幅增加，F(xiàn)6在真空環(huán)境下可實(shí)現(xiàn)-80℃甚至更低溫度的測(cè)溫。F7中波制冷型熱像儀采用InSb探測(cè)器，靈敏度優(yōu)于20mK，測(cè)溫穩(wěn)定性優(yōu)于±0.2℃/0.2%，響應(yīng)時(shí)間可達(dá)0.4μs，全畫(huà)面幀率高達(dá)130Hz，窗口模式可達(dá)4000Hz，配微距鏡頭物方分辨率可達(dá)3μm，適用于各種更高要求的成像和測(cè)溫需求。

F6非制冷長(zhǎng)波紅外熱像儀 & -80℃測(cè)溫

F7制冷型中波熱像儀

六：鎖相紅外檢測(cè)

由于硅片具有良好的導(dǎo)熱性，一些微小缺陷導(dǎo)致的溫差極為微小，常規(guī)熱像儀無(wú)法觀測(cè)到。鎖相紅外成像技術(shù)通過(guò)周期性地調(diào)制信號(hào)，采集周期內(nèi)不同時(shí)間點(diǎn)的紅外圖像，獲得幅值、相位等信息，信噪比相比相機(jī)本身有數(shù)量級(jí)的提高，可分析樣品內(nèi)部的熱源位置和熱傳導(dǎo)特性。鎖相紅外成像的靈敏度大幅提高，溫度分辨率可達(dá)1mK，在半導(dǎo)體行業(yè)被廣泛用于芯片失效和材料缺陷分析，以及太陽(yáng)能板缺陷（暗電流）檢測(cè)。通過(guò)鎖相熱圖，還可消除發(fā)射率引起的圖像對(duì)比，更好發(fā)現(xiàn)缺陷。巨哥科技的熱像儀、短波相機(jī)和其他產(chǎn)品均可支持鎖相技術(shù)，滿足嚴(yán)苛和高挑戰(zhàn)的應(yīng)用需求。