接地層上的溫度效應(yīng)
除了將初始寄生電容偏移引入到測(cè)量值中，溫度也是導(dǎo)致寄生接地層電容發(fā)生變化的因素。這一現(xiàn)象可以看成一個(gè)隨時(shí)間發(fā)生變化的偏移。這些溫度造成的變化由接地層的膨脹和收縮所導(dǎo)致。在傳感器和接地層之間插入一個(gè)屏蔽層有助于緩解寄生接地層電容對(duì)測(cè)量值的影響。
使用FDC1004時(shí)的典型實(shí)現(xiàn)方式
FDC1004具有驅(qū)動(dòng)屏蔽驅(qū)動(dòng)器引腳上400pF負(fù)載的能力。任何大于400pF的負(fù)載將會(huì)使屏蔽不能正常有效地發(fā)揮作用。輸入通道與屏蔽之間的配對(duì)取決于工作模式。在單端模式中，因?yàn)閮蓚€(gè)屏蔽引腳在內(nèi)部被短接在一起，CIN1到CIN4可與SHLD1或SHLD2配對(duì)。對(duì)于差分模式來(lái)說(shuō)，表1列出了相位內(nèi)的情況。
除了將初始寄生電容偏移引入到測(cè)量值中，溫度也是導(dǎo)致寄生接地層電容發(fā)生變化的因素。這一現(xiàn)象可以看成一個(gè)隨時(shí)間發(fā)生變化的偏移。這些溫度造成的變化由接地層的膨脹和收縮所導(dǎo)致。在傳感器和接地層之間插入一個(gè)屏蔽層有助于緩解寄生接地層電容對(duì)測(cè)量值的影響。
使用FDC1004時(shí)的典型實(shí)現(xiàn)方式
FDC1004具有驅(qū)動(dòng)屏蔽驅(qū)動(dòng)器引腳上400pF負(fù)載的能力。任何大于400pF的負(fù)載將會(huì)使屏蔽不能正常有效地發(fā)揮作用。輸入通道與屏蔽之間的配對(duì)取決于工作模式。在單端模式中，因?yàn)閮蓚€(gè)屏蔽引腳在內(nèi)部被短接在一起，CIN1到CIN4可與SHLD1或SHLD2配對(duì)。對(duì)于差分模式來(lái)說(shuō)，表1列出了相位內(nèi)的情況。
表1：針對(duì)差分模式的通道和屏蔽配對(duì)
例如，如果FDC1004被配置為CH1-CH4的方式，CH1將在相位內(nèi)并與SHLD1配對(duì)，而CH4將在相位內(nèi)并與SHLD2配對(duì)。
