近日，一篇刊登于Nature期刊的文章向世人展示了一項霍爾效應苦等 140 年的應用。

這篇文章的名字十分簡單：“Carrier-resolved photo-Hall effect”，意為“能解析載流子信息的光霍爾效應”。文章中介紹了一種全新的測量方法，能夠同時測量導電材料中兩種載流子的重要信息，可以為新型的太陽能電池材料和光電材料提供有力的檢測手段和指導方向；同時，這一突破可以讓我們更加詳盡地了解半導體的物理特性，對研發(fā)和改進半導體材料有著重大意義。

我們現(xiàn)在的生活中，處處可見的是各式各樣的電子產品，電腦、手機甚至很多工廠的生產設備都有電子芯片和電路的身影。

而這些電子產品的核心材料之一就是半導體材料，如何充分理解和利用半導體材料是一個關系電子技術及相關領域發(fā)展的重要課題。

然而將近一個半世紀以來，科學家一直被一個問題所困擾，他們無法完全理解半導體器件和先進的半導體材料內部的電荷方面的局限性，而這種局限影響了半導體研究的進一步發(fā)展。

最直接的，科學家希望知道半導體材料的導電性能如何，具體來說，需要關注半導體中的載流子種類、密度以及遷移率等參數(shù)，這些是體現(xiàn)半導體材料導電性能的關鍵參數(shù)。

其中，載流子（Carrier）分兩種，電子（Electron）和空穴（Hole），分別帶一個單位負電荷和正電荷，不同的載流子決定了半導體最基本的導電情況。載流子密度決定導電時有多少載流子能參與導電，載流子遷移率決定載流子能跑多快，這些參數(shù)其實能一起出現(xiàn)在導體通電電流的表達式中，它們共同決定導體通電時電流的大小。

（圖 | 霍爾效應示意圖）

通過對帶電粒子的受力分析之后，我們不難得到這樣一個公式：

（其中 B 是外加磁場磁感應強度，I 為導體電流，b 為導體延磁場方向的厚度，n 是導體載流子的體密度，q 是帶電粒子的電量，H 是霍爾系數(shù)，可由測量儀器直接得出。）

不難看出，霍爾電勢差的大小受到磁場、導體電流、導體幾何尺寸、導體內部載流子濃度和載流子電量的影響。其中，前三個都能事先測量出來，霍爾電勢差 VH也能在實驗中測得，我們再利用這樣的物理關系，就能測量導電材料的載流子濃度。

但是，對于太陽能電池材料和光電材料來說，簡單的霍爾效應并不能滿足電學測量要求。原因在于，簡單的霍爾效應只能測量一種載流子的信息，因為霍爾電勢差只能體現(xiàn)兩個側面由于電荷積累出現(xiàn)的差值，而不能體現(xiàn)這兩者的具體信息。這和一般半導體的導電情況十分契合，盡管一般半導體導電時，也存在兩種載流子，分別被稱為“多子（Majority Carriers）”和“少子（Minority Carriers）”，但多子濃度高，少子濃度低，少子的作用往往被忽視。

不同于一般的半導體材料，在太陽能電池材料中參與導電的一般有兩種載流子，而且兩種載流子的濃度相當。我們可以從原理上來分析，太陽能電池之所以可以發(fā)電，是因為光產生了電，其實是光的能量被半導體材料吸收，并且產生了成對的電子和空穴。此時如果不將它們分開，它們又會結合在一起，所以我們需要在太陽能電池兩極連接上導線和用電器，只有這樣電才能被我們利用。所以說，如果要測量太陽能電池材料和光電材料的電學特性，需要同時獲取兩種載流子的信息。