2018年1月30日，NI(美國國家儀器，National Instruments, 簡稱NI) 作為致力于為工程師和科學家提供基于平臺的系統(tǒng)解決方案來應對全球最嚴峻工程挑戰(zhàn)的供應商，宣布推出PXIe-4163高密度源測量單元(SMU)，該測量單元提供了比以往NI PXI SMU高達6倍的直流通道密度，適用于測試RF、MEMS以及混合信號和其他模擬半導體元件。

NI全球銷售和市場執(zhí)行副總裁Eric Starkloff表示：“5G、物聯(lián)網(wǎng)和自動駕駛汽車等革命性的技術(shù)發(fā)展給半導體企業(yè)帶來持續(xù)的壓力。無論是實驗室環(huán)境還是生產(chǎn)車間，都需要采用更高效的半導體測試方法。半導體測試是NI的戰(zhàn)略重點。我們正在擴展我們的軟件平臺和PXI功能，以幫助芯片制造商應對他們面臨的最大挑戰(zhàn)，這一點通過NI最新的PXI SMU可以完全體現(xiàn)出來?！?/span>

由于其高吞吐量、高性價比和占地面積小，NI的半導體測試系統(tǒng)(STS)正在快速應用到芯片生產(chǎn)中。全新的PXIe-4163 SMU則進一步增強了這些功能，它能提供更高的直流通道密度，使多站點應用具有更高的并行性，以及在生產(chǎn)中提供實驗室級別的測量質(zhì)量。利用這一組合，工程師在實驗室和生產(chǎn)車間中可以使用相同的儀器進行驗證，從而減少了測量數(shù)據(jù)關(guān)聯(lián)的挑戰(zhàn)，進而縮短上市時間。

工程師可以在STS配置或單獨的PXI系統(tǒng)中使用全新的PXIe-4163 SMU。 主要產(chǎn)品功能包括：

（1）在單個PXI Express插槽中提供多達24路通道

（2）每通道電壓范圍+/- 24 V

（3）每通道高達100 mA源極/漏極電流

（4）100 pA電流靈敏度

（5）高達100 kS/s采樣率和更新速率

（6）采用SourceAdapt技術(shù)，可最小化過沖和振動