在IGBT關(guān)斷時(shí)刻使開(kāi)通電壓波形產(chǎn)生了一個(gè)的尖峰，由于此時(shí)開(kāi)通電壓電源處于瞬時(shí)空載狀態(tài)，不會(huì)對(duì)驅(qū)動(dòng)控制產(chǎn)生影響。整體上看，原邊的低壓弱電信號(hào)和副邊的低壓強(qiáng)電信號(hào)都沒(méi)有受到開(kāi)關(guān)電源自身開(kāi)關(guān)頻率上的干擾。
圖4：高占空比波形圖
圖5：低占空比波形圖
4結(jié)論
設(shè)計(jì)驗(yàn)證表明，前級(jí)SEPIC非隔離穩(wěn)壓，后級(jí)半橋隔離開(kāi)環(huán)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，優(yōu)于傳統(tǒng)的反激式單原邊多副邊的集中式電源，特別適合作為100kW量級(jí)的新能源乘用車(chē)逆變器的驅(qū)動(dòng)電源，設(shè)計(jì)沒(méi)有采用往往不符合汽車(chē)標(biāo)準(zhǔn)的電源類(lèi)專(zhuān)用集成芯片，而是采用具有AEC認(rèn)證的汽車(chē)級(jí)通用分立器件，滿(mǎn)足了乘用車(chē)電子設(shè)計(jì)的苛刻要求。
