圖1：電源拓?fù)涫疽鈭D

該結(jié)構(gòu)的好處是：

一、前級電源無需解決隔離問題，可以采用常規(guī)的SEPIC或buck-boost非隔離拓?fù)?，而且前級電源的輸出是無需隔離的低壓定壓，在布局布線中無需考慮各組電源間的爬電距離和電氣間隙問題。因此該部分前級可以作為低壓弱電電路獨(dú)立實(shí)現(xiàn)，無需占用驅(qū)動(dòng)板面積。

二、后級電源無需解決反饋問題，采用開環(huán)控制，避免了隔離信號反饋的麻煩。因?yàn)槌擞密囋O(shè)備的工況惡劣，工作溫度變化范圍非常大，傳統(tǒng)的線性光耦等器件受溫漂影響精度大幅降低，溫漂補(bǔ)償器件又成本很高，這種方式有效避免這一弊端。

2.2后級半橋開關(guān)電源設(shè)計(jì)

前級電源屬于典型定壓設(shè)計(jì)，無需給出設(shè)計(jì)原理，本文重點(diǎn)介紹后級半橋電路。具體原理圖見圖2和圖3。圖2為采用汽車級定時(shí)器電路設(shè)計(jì)的50%占空比信號發(fā)生器，用于給半橋開關(guān)電源提供控制信號，其中R49可以用來調(diào)整開關(guān)頻率，一般可以設(shè)定在70kHz到300kHz之間，頻率選擇主要根據(jù)電路板實(shí)際空間尺寸和變壓器的伏秒積進(jìn)行折衷選取。

從變壓器計(jì)算伏秒積的公式為：

ET=V*D/f_sw（4）

V為加在變壓器上的電壓，D是占空比，f_sw是開關(guān)頻率。本設(shè)計(jì)選擇了一顆ET值達(dá)44Vusec的變壓器，因此開關(guān)頻率設(shè)置較低，為120kHz。

圖2: 50%占空比信號發(fā)生電路

此電路采用一顆IR的汽車級半橋芯片IRS2004S作為驅(qū)動(dòng)，并聯(lián)兩個(gè)由InfineonBSR302N組成的并聯(lián)半橋電路。采用匝比為1：1.25的通用變壓器，經(jīng)過倍壓整流得到+15V電壓，經(jīng)過普通整流得到-8V電壓。每個(gè)變壓器用于給一個(gè)IGBT驅(qū)動(dòng)供電。在變壓器原邊串聯(lián)入汽車級EMC磁珠，可以有效抑制開關(guān)產(chǎn)生的電壓尖峰，器件具體信息見附錄表1。IGBT門極是一種容性負(fù)載，每次開關(guān)都伴隨著較高瞬態(tài)電流，即前文計(jì)算的峰值驅(qū)動(dòng)電流，因此需要一種紋波電流能力強(qiáng)的長壽命電容，每路電源采用4.7uFX7R汽車級多層陶瓷電容，實(shí)現(xiàn)瞬態(tài)電壓支撐。X7R多層陶瓷電容具有封裝小，ESR低，允許紋波電流大，溫度降低容量衰減少等優(yōu)點(diǎn)。

圖3：半橋開關(guān)電源電路原理圖

3測試結(jié)果

實(shí)際測試條件為，后級輸入定電壓16.5V，輸入電流0.67A，IGBT開關(guān)頻率10kHz，信號為SVPWM，開關(guān)電源工作頻率120kHz，室溫條件。經(jīng)簡單計(jì)算可知，每路功耗1.84W，與理論計(jì)算相符合。

選取高占空比和低占空比兩個(gè)工況，觀察相關(guān)信號的波形，見圖4和圖5。其中橙色的1通道顯示低壓側(cè)驅(qū)動(dòng)輸入信號，粉色2通道顯示-8V電源輸出端的波形，藍(lán)色3通道顯示+15V電源輸出端波形，綠色4通道顯示門極輸出波形。

在IGBT開通時(shí)刻，由于電源電容電荷迅速通過門極電阻轉(zhuǎn)移到門極，時(shí)間一般只有1~3us，產(chǎn)生+15V電源上的電壓跌落，但是很快就可以恢復(fù)到平臺電壓。

同理，在IGBT關(guān)斷時(shí)刻，也會使-8V電源產(chǎn)生電壓跌落。這種跌落是不會引起IGBT開通或關(guān)斷的不良反應(yīng)，因此是可以接受的。對比圖4和圖5也能夠發(fā)現(xiàn)，占空比大小不會影響電壓跌落的幅值和持續(xù)的時(shí)間，這是因?yàn)镮GBT的門極是容性負(fù)載。