深入落實《國務(wù)院關(guān)于促進(jìn)光伏產(chǎn)業(yè)健康發(fā)展的若干意見》(國發(fā)〔2013〕24號),進(jìn)一步推動光伏產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整和轉(zhuǎn)型升級,持續(xù)加強(qiáng)行業(yè)管理,提高行業(yè)發(fā)展水平,工信部部對《光伏制造行業(yè)規(guī)范條件》進(jìn)行了修訂,形成《光伏制造行業(yè)規(guī)范條件(2018年本)》?,F(xiàn)予以公告。
為加強(qiáng)光伏行業(yè)管理,引導(dǎo)產(chǎn)業(yè)加快轉(zhuǎn)型升級和結(jié)構(gòu)調(diào)整,推動我國光伏產(chǎn)業(yè)持續(xù)健康發(fā)展,根據(jù)國家有關(guān)法律法規(guī)及《國務(wù)院關(guān)于促進(jìn)光伏產(chǎn)業(yè)健康發(fā)展的若干意見》(國發(fā)〔2013〕24號),按照優(yōu)化布局、調(diào)整結(jié)構(gòu)、控制總量、鼓勵創(chuàng)新、支持應(yīng)用的原則,制定本規(guī)范條件。
一、生產(chǎn)布局與項目設(shè)立
(一)光伏制造企業(yè)及項目應(yīng)符合國家資源開發(fā)利用、環(huán)境保護(hù)、節(jié)能管理等法律法規(guī)要求,符合國家產(chǎn)業(yè)政策和相關(guān)產(chǎn)業(yè)規(guī)劃及布局要求,符合當(dāng)?shù)赝恋乩每傮w規(guī)劃、城市總體規(guī)劃、環(huán)境功能區(qū)劃和環(huán)境保護(hù)規(guī)劃等要求。
(二)在國家法律法規(guī)、規(guī)章及規(guī)劃確定或省級以上人民政府批準(zhǔn)的永久基本農(nóng)田保護(hù)區(qū)、飲用水水源保護(hù)區(qū)、自然保護(hù)區(qū)、風(fēng)景名勝區(qū)、生態(tài)保護(hù)紅線和生態(tài)環(huán)境敏感區(qū)、脆弱區(qū)等法律、法規(guī)規(guī)定禁止建設(shè)工業(yè)企業(yè)的區(qū)域不得建設(shè)光伏制造項目。上述區(qū)域內(nèi)的現(xiàn)有企業(yè)應(yīng)嚴(yán)格控制規(guī)模,對生態(tài)環(huán)境造成影響的應(yīng)采取措施,逐步遷出。
(三)嚴(yán)格控制新上單純擴(kuò)大產(chǎn)能的光伏制造項目,引導(dǎo)光伏企業(yè)加強(qiáng)技術(shù)創(chuàng)新、提高產(chǎn)品質(zhì)量、降低生產(chǎn)成本。新建和改擴(kuò)建多晶硅制造項目,最低資本金比例為30%,其他新建和改擴(kuò)建光伏制造項目,最低資本金比例為20%。
二、生產(chǎn)規(guī)模和工藝技術(shù)
(一)光伏制造企業(yè)應(yīng)采用工藝先進(jìn)、節(jié)能環(huán)保、產(chǎn)品質(zhì)量好、生產(chǎn)成本低的生產(chǎn)技術(shù)和設(shè)備。
(二)光伏制造企業(yè)應(yīng)具備以下條件:在中華人民共和國境內(nèi)依法注冊成立,具有獨立法人資格;具有太陽能光伏產(chǎn)品獨立生產(chǎn)、供應(yīng)和售后服務(wù)能力;具有省級以上獨立研發(fā)機(jī)構(gòu)、技術(shù)中心或高新技術(shù)企業(yè)資質(zhì),每年用于研發(fā)及工藝改進(jìn)的費用不低于總銷售額的3%且不少于1000萬元人民幣;申報符合規(guī)范名單時上一年實際產(chǎn)量不低于上一年實際產(chǎn)能的50%。
(三)光伏制造企業(yè)按產(chǎn)品類型應(yīng)分別滿足以下要求:
1.多晶硅項目每期規(guī)模不低于3000噸/年;
2.硅錠年產(chǎn)能不低于1000噸;
3.硅棒年產(chǎn)能不低于1000噸;
4.硅片年產(chǎn)能不低于5000萬片;
5.晶硅電池年產(chǎn)能不低于200MWp;
6.晶硅電池組件年產(chǎn)能不低于200MWp;
7.薄膜電池組件年產(chǎn)能不低于50MWp;
8.逆變器年產(chǎn)能不低于 200MWp(微型逆變器不低于10MWp)。
(四)現(xiàn)有光伏制造企業(yè)及項目產(chǎn)品應(yīng)滿足以下要求:
1.多晶硅滿足《太陽能級多晶硅》(GB/T25074)1級品的要求。
2.多晶硅片(含準(zhǔn)單晶硅片)少子壽命大于2μs,碳、氧含量分別小于10和16PPMA;單晶硅片少子壽命大于10μs,碳、氧含量分別小于1和16PPMA。
3.多晶硅電池和單晶硅電池的最低光電轉(zhuǎn)換效率分別不低于18%和19.5%。