2022年，被稱為激光雷達規(guī)模化生產(chǎn)的元年，根據(jù)Yole發(fā)布的《2022年汽車與工業(yè)領域激光雷達報告》顯示，中國廠商已成為全球車載激光雷達賽道的重要玩家，預計2022年有超過20萬臺的激光雷達交付上車。隨著激光雷達性能、成本、可靠性等不斷優(yōu)化，2023年激光雷達有望出現(xiàn)爆發(fā)性的增長。

作為激光雷達的重要組成之一的光源也隨著各種技術路線的競爭，引發(fā)了廣泛的關注和討論，EEL、VCSEL和MOPA光纖激光器是當前三種主流激光器，在機械掃描、棱鏡旋轉(zhuǎn)掃描和MEMS掃描系統(tǒng)中，EEL覆蓋了長中短距的各種應用，是最理想的光源。在全區(qū)域爆閃模式下的固態(tài)激光雷達，則根據(jù)距離的要求而選擇VCSEL或EEL。而應用在分區(qū)控制等固態(tài)激光雷達應用則可以充分利用VCSEL的多發(fā)光孔的特性，實現(xiàn)1D/2D控制，在短距固態(tài)應用中成為優(yōu)選。

激光雷達發(fā)射端占比，來源：Yole, 觀研天下等

綜合Yole等機構的統(tǒng)計數(shù)據(jù)，當前激光雷達的光源仍然以EEL為主，占據(jù)55%的市場份額，VCSEL占有18%的份額。光源的制約因素主要有性能、成本、產(chǎn)業(yè)成熟度、人眼安全等因素，綜合來看，905nm EEL仍是目前激光雷達應用綜合性能的最優(yōu)解，同時是市場的選擇。

但是，常規(guī)的EEL也存在一些性能缺點，例如波長溫漂系數(shù)通常為0.28 nm/K，遠高于VCSEL的0.07 nm/K，這也成為限制EEL發(fā)展的重要因素，尤其在滿足車規(guī)級的-40℃~125℃溫度范圍內(nèi)，光源本身的波長變化率越小，探測器的帶通濾波器的波長范圍就可以設置得更窄。鑒于此，作為國內(nèi)激光雷達發(fā)射芯片的領先供應商瑞波光電日前推出具備自主核心技術的新一代3J和4J的低溫漂65W、135W、165W 905nm芯片系列，波長隨溫度變化系數(shù)小于0.09 nm/K，部分型號達到0.06 nm/K，在溫度漂移特性已經(jīng)接近甚至優(yōu)于VCSEL，實現(xiàn)了國產(chǎn)905nm EEL芯片的重大技術突破，填補了國內(nèi)空白，同時削弱了VCSEL的競爭優(yōu)勢。

瑞波光電新一代905nm EEL芯片系列有四個特點：

● 溫漂系數(shù)低，即波長隨溫度的變化率低。一般市面上905nm的EEL激光器，波長隨溫度變化率在0.28 nm/K，而瑞波新一代65W、135W、165W 905nm芯片系列的溫漂系數(shù)小于0.09 nm/K，部分型號的溫漂系數(shù)為0.06 nm/K。光源本身的波長變化率越小，探測器的帶通濾波器的波長范圍就可以設置得更窄，對于激光雷達整體的抗噪性能和測量精度的提高都有很大幫助。

● 功率密度高、功率高。在3J 65W等級產(chǎn)品里面實現(xiàn)了110μm業(yè)界超窄的發(fā)光線寬，在3J 135W和4J 165W等級實現(xiàn)220μm業(yè)界超窄的發(fā)光線寬，有助于支持實現(xiàn)長距離測距和高精度測距。激光器本身的發(fā)光尺寸越窄，經(jīng)過透鏡之后得到的平行光斑就越小，光斑中心部分光強就越強，可以打得更遠，測的精度也越高。3J芯片和4J芯片的斜率效率分別達到了3.5W/A和4.5W/A， 其中新一代4J芯片實現(xiàn)了量產(chǎn)芯片里最高的輸出功率165W。

● 快軸和慢軸發(fā)散角得到優(yōu)化。瑞波公司新一代905nm芯片快軸發(fā)散角為22°，慢軸發(fā)散角為10°，而常規(guī)905nm芯片的快軸發(fā)散角通常為30°，慢軸發(fā)散角17°，這樣意味經(jīng)過準直后的實際等效功率密度會得到大大提升。

●  高溫下功率穩(wěn)定性全球最佳。瑞波公司新一代905nm芯片在環(huán)境溫度從25變化到125攝氏度，功率變化量小于30%，而該指標的行業(yè)普遍水平為40-50%。高溫下功率穩(wěn)定意味著高熱負載下功率穩(wěn)定。據(jù)評估，瑞波芯片在500kHz高重頻下仍然有優(yōu)秀的輸出功率。

“我們認為激光雷達中的EEL和VCSEL技術，屬于既競爭又補充的關系，就像VCSEL在不斷提升光功率密度一樣，EEL也在不斷優(yōu)化溫漂特性、發(fā)散角特性等性能，同時不斷降低成本，瑞波光電一直致力于開發(fā)高性能的EEL芯片，在保持高功率密度的前提下，不斷提升光學性能和溫度特性，為激光雷達的設計帶來系統(tǒng)性革新?！鄙钲谌鸩ü怆娮佑邢薰臼袌鲐撠熑擞谡紳硎尽?

“EEL相比VCSEL的最大技術優(yōu)勢是光功率密度非常高，比VCSEL至少高1個數(shù)量級。目前瑞波光電開發(fā)的905nm EEL芯片的功率密度可以達到50 kW/mm2，而當前VCSEL通過多結工藝將功率密度最高提升到2 kW/mm2，但仍與EEL有很大的差距?！?

低溫漂EEL和VCSEL性能對比表（來源：瑞波光電）

從上述表中我們可以發(fā)現(xiàn)，多結VCSEL相比低溫漂EEL，仍存在功率密度的短板，并且低溫漂優(yōu)勢被追平，EEL可將溫漂降系數(shù)低到0.06 nm/K甚至更低，VCSEL僅剩低成本、二維特性方面的優(yōu)勢，但是EEL仍可以通過性能改進和規(guī)?；圃?，抵消VCSEL的優(yōu)勢。例如EEL可以通過規(guī)模效應和自動化制造技術將成本降低至VCSEL同等級別；EEL可以通過封裝實現(xiàn)二維可尋址陣列；新一代EEL的快軸發(fā)散角寬度已經(jīng)比上一代減少1/3，未來還有改善的空間；同時EEL有個優(yōu)勢是偏振態(tài)固定，而VCSEL的偏振態(tài)比較隨機、影響測距的精度。另外，VCSEL陣列在高功率輸出的同時工作電流需要達到數(shù)百A，這也對驅(qū)動電源形成很大的挑戰(zhàn)。

未來瑞波光電將持續(xù)優(yōu)化溫漂系數(shù)，進一步做窄發(fā)射區(qū)尺寸，提升光功率密度，提升出光效率，繼續(xù)鞏固905nm EEL的技術優(yōu)勢。