據(jù)中科院蘇州納米技術與納米仿生研究所公布，該所研究員趙志剛課題組與蘇州大學耿鳳霞課題組合作證實，恰當?shù)卣{(diào)制半導體氧化物中的氧缺陷，可顯著提升其表面增強拉曼光譜（sers）性能。該發(fā)現(xiàn)突破常規(guī)sers技術中貴金屬基底的局限性，進一步拓寬了半導體氧化物作為基底材料在sers檢測中的應用范疇。相關結果發(fā)表在《自然通訊》上。
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