編者按：中國(guó)電科產(chǎn)業(yè)發(fā)展充分發(fā)揮電子信息科技創(chuàng)新體系優(yōu)勢(shì)，以解決產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵環(huán)節(jié)問(wèn)題為己任，以打造供應(yīng)鏈核心環(huán)節(jié)自主化為抓手，推動(dòng)產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)高級(jí)化、助力產(chǎn)業(yè)鏈現(xiàn)代化，在“電子裝備、網(wǎng)信體系、產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)、網(wǎng)絡(luò)安全”四大板塊誕生了一系列產(chǎn)業(yè)單項(xiàng)冠軍產(chǎn)品。為打造高質(zhì)量產(chǎn)品，推動(dòng)民品產(chǎn)業(yè)做強(qiáng)做優(yōu)做大，現(xiàn)對(duì)2021年“四大板塊”的民品產(chǎn)業(yè)單項(xiàng)冠軍產(chǎn)品進(jìn)行報(bào)道。

中國(guó)電科聚焦產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新鏈關(guān)鍵環(huán)節(jié)，推進(jìn)產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)、網(wǎng)絡(luò)安全布局發(fā)展，在材料、器件、裝備、儀器、基礎(chǔ)軟件等領(lǐng)域形成一系列單項(xiàng)冠軍產(chǎn)品。

中國(guó)電科處于國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體材料行業(yè)發(fā)展最前端，經(jīng)多年布局發(fā)展，培育了一批以200mm硅外延片、通信用旋磁材料為代表的“真材實(shí)料”。

硅外延片是芯片制造主要原材料。電科材料掌握8英寸（200mm）及以下外延生長(zhǎng)技術(shù)，其中200mm 硅外延片為核心產(chǎn)品，主要應(yīng)用于高端功率器件和模擬集成電路芯片領(lǐng)域，外延層厚度均勻性、電阻率均勻性、平整度及顆粒度等核心關(guān)鍵指標(biāo)均為國(guó)內(nèi)第一，部分指標(biāo)接近或達(dá)到國(guó)際水平。目前，4-8英寸（100mm-200mm）分立器件用硅外延片國(guó)內(nèi)市場(chǎng)占有率超過(guò)50%。

旋磁材料是信號(hào)傳輸設(shè)備中核心器件隔離器、環(huán)行器的關(guān)鍵材料，廣泛應(yīng)用于通信基站及無(wú)線信號(hào)傳輸設(shè)備。電科9所在國(guó)內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)5G基站用旋磁基片的批量供應(yīng)，材料性能達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。目前國(guó)內(nèi)建設(shè)的約百萬(wàn)站5G基站中，有近半是采用9所生產(chǎn)的旋磁材料。“5G用旋磁材料”曾獲第21屆中國(guó)國(guó)際工業(yè)博覽會(huì)金獎(jiǎng)。

核心器件發(fā)展備受國(guó)家重視。中國(guó)電科瞄準(zhǔn)國(guó)家所需，研制了一批以5G射頻聲學(xué)濾波器為代表的“器件健將”。

聲學(xué)濾波器（包括聲表面波-SAW、體聲波-BAW）是5G通信的基礎(chǔ)元器件，作為射頻前端核心元器件，主要應(yīng)用于以5G通訊為代表的移動(dòng)通訊基站及智能終端中。目前產(chǎn)品國(guó)內(nèi)市場(chǎng)占有率達(dá)10%，占據(jù)國(guó)產(chǎn)化器件份額60%以上，服務(wù)于行業(yè)主流客戶。國(guó)基南方（德清華瑩公司）、聲光電公司是國(guó)內(nèi)終端用濾波器主要供應(yīng)商，擁有與世界先進(jìn)水平相當(dāng)?shù)穆晫W(xué)濾波器晶體材料生長(zhǎng)技術(shù)、芯片制造技術(shù)及先進(jìn)封裝測(cè)試技術(shù)，構(gòu)建了行業(yè)領(lǐng)先的全產(chǎn)業(yè)鏈微聲技術(shù)體系，產(chǎn)品遠(yuǎn)銷北美、歐洲、東南亞。

中國(guó)電科在半導(dǎo)體裝備眾多領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破，涌現(xiàn)了一批以200mm CMP、中束流離子注入機(jī)、等離子體增強(qiáng)氣相化學(xué)沉積設(shè)備為代表的“裝備精品”。

化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備（CMP）是集成電路核心裝備之一。電科裝備致力于CMP設(shè)備研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化，產(chǎn)業(yè)化機(jī)型200mm CMP設(shè)備可滿足所有8英寸芯片制造過(guò)程中的復(fù)雜CMP工藝，通過(guò)了SEMI S和SEMI F47 認(rèn)證，性能指標(biāo)不低于和部分優(yōu)于國(guó)際同類產(chǎn)品；300mmCMP設(shè)備進(jìn)入產(chǎn)線驗(yàn)證以來(lái)，相關(guān)技術(shù)參數(shù)及工藝效果比肩國(guó)際一流設(shè)備，提前進(jìn)入量產(chǎn)階段。目前，200mm CMP設(shè)備國(guó)內(nèi)市場(chǎng)占有率達(dá)到70%，成為知名集成電路制造企業(yè)唯一置換率100%的國(guó)產(chǎn)設(shè)備。

離子注入機(jī)是另一種集成電路核心裝備。電科裝備研發(fā)的中束流離子注入機(jī)產(chǎn)品已連續(xù)突破高性能離子源、高速晶圓傳輸?shù)汝P(guān)鍵核心技術(shù)，產(chǎn)品服務(wù)于國(guó)內(nèi)領(lǐng)先芯片制造廠商，廣泛分布于國(guó)內(nèi)多個(gè)先進(jìn)產(chǎn)線，國(guó)內(nèi)市場(chǎng)占有率約8%。目前，電科裝備離子注入機(jī)工藝段覆蓋至28nm，實(shí)現(xiàn)了我國(guó)芯片制造領(lǐng)域全譜系離子注入機(jī)自主創(chuàng)新發(fā)展，可為全球芯片制造企業(yè)提供離子注入機(jī)一站式解決方案。

等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積設(shè)備（PECVD）是太陽(yáng)能電池片制造的核心工藝裝備，并可拓展至半導(dǎo)體行業(yè)，具有廣闊的市場(chǎng)前景。電科裝備PECVD設(shè)備在產(chǎn)能和工藝均勻性等關(guān)鍵指標(biāo)均處于國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平，具有規(guī)格齊全、產(chǎn)能大、均勻性好、設(shè)備自動(dòng)化程度高、穩(wěn)定性高等優(yōu)勢(shì)，可滿足不同客戶的定制化需求，主要客戶均為行業(yè)龍頭企業(yè)，市場(chǎng)占有率逐步提高。其中，正面鍍膜用PECVD設(shè)備2020年居行業(yè)第一位。