“高德紅外研制的百萬像素中波/中波雙色二類超晶格制冷紅外探測(cè)器代表了紅外成像技術(shù)尖端水平，打破少數(shù)國外企業(yè)的技術(shù)壟斷，為我國特色紅外技術(shù)產(chǎn)業(yè)提供堅(jiān)實(shí)的科技支撐，滿足我國對(duì)于高端制冷紅外探測(cè)器的需求?！痹诮衲陜蓵?huì)期間，全國政協(xié)委員、高德紅外董事長黃立向媒體發(fā)布了公司最新取得的成果。而這一成果，也和他此次的提案相關(guān)，即在國家促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展政策方面，應(yīng)突出特殊半導(dǎo)體的戰(zhàn)略地位，針對(duì)不同的特殊半導(dǎo)體給予不同的線寬政策。

全國政協(xié)委員、高德紅外董事長黃立

特殊半導(dǎo)體是多學(xué)科高技術(shù)聚合物

集成電路是信息社會(huì)的基石，也是信息技術(shù)的重要基礎(chǔ)。芯片產(chǎn)業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展，關(guān)系到現(xiàn)代信息產(chǎn)業(yè)和產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展。近年來，中國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展取得了驕人成績(jī)，產(chǎn)業(yè)規(guī)模不斷增長。據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)測(cè)算，2020年我國集成電路銷售收入達(dá)到8848億元，增長率為同期全球產(chǎn)業(yè)增速的3倍。技術(shù)創(chuàng)新上也不斷取得突破，在制造工藝、封裝技術(shù)、關(guān)鍵設(shè)備材料都有明顯大幅提升。

黃立表示，相對(duì)于硅基集成電路的邏輯運(yùn)算，特殊半導(dǎo)體作為與外界環(huán)境交互的重要手段和感知信息的主要來源，已成為決定未來數(shù)字通信、傳感互聯(lián)、人工智能產(chǎn)業(yè)發(fā)展的核心與“卡脖子”的關(guān)鍵技術(shù)。他指出，特殊半導(dǎo)體是多學(xué)科的高技術(shù)聚合物，涵蓋了化合物半導(dǎo)體、功率半導(dǎo)體、傳感器件和微機(jī)電器件，具有信息采集、信息處理、信息交換、信息存儲(chǔ)等多元化功能。

黃立認(rèn)為，黨的十八大以來，黨中央把握住歷史契機(jī)，出臺(tái)了一系列半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)扶持政策，在加快我國集成電路技術(shù)創(chuàng)新，推動(dòng)集成電路產(chǎn)業(yè)進(jìn)步方面取得了長足發(fā)展。特別是去年8月國務(wù)院印發(fā)的《新時(shí)期促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干政策》更是為國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展推波助瀾?！叭欢厥獍雽?dǎo)體未能充分享受到集成電路產(chǎn)業(yè)的相關(guān)政策支持?！秉S立表示。

特殊半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)目前面臨三大挑戰(zhàn)

特殊半導(dǎo)體的制造工藝和制造條件要求極高，和集成電路有一定的相似度，但更加側(cè)重于工藝的特殊性和復(fù)雜性。黃立表示，目前產(chǎn)業(yè)水平低的主要問題有以下幾點(diǎn)，首先，核心特殊半導(dǎo)體產(chǎn)品品種數(shù)較多，國內(nèi)僅能生產(chǎn)其中的約1/3，整體技術(shù)含量也較低。同時(shí)，核心功能性器件市場(chǎng)需求量上萬億元，且逐年上升，每年進(jìn)口額數(shù)千億元，包括汽車電子或科學(xué)儀器等高端特殊半導(dǎo)體95%以上市場(chǎng)份額都掌握在外資企業(yè)手里。

其次，核心特殊半導(dǎo)體器件生產(chǎn)制造工藝流程繁瑣復(fù)雜、產(chǎn)業(yè)鏈較長，企業(yè)規(guī)模偏小，人才集聚和培養(yǎng)難度大，上下游協(xié)同門檻高、成本高，產(chǎn)業(yè)發(fā)展尚未形成合力。

最后，特殊半導(dǎo)體涉及的技術(shù)領(lǐng)域眾多、工序復(fù)雜。特殊半導(dǎo)體對(duì)于光刻線寬的要求相對(duì)較低，但是對(duì)于工藝、材料的控制更加復(fù)雜，被稱為“工業(yè)藝術(shù)品”。例如MEMS傳感器，學(xué)科涉及電子、機(jī)械、材料、制造、物理、化學(xué)和生物等多種學(xué)科，并集約了當(dāng)今科學(xué)技術(shù)發(fā)展的許多尖端成果;設(shè)計(jì)與傳統(tǒng)IC行業(yè)注重二維靜止的電路設(shè)計(jì)不同，以理論力學(xué)為基礎(chǔ)，結(jié)合電路知識(shí)設(shè)計(jì)三維動(dòng)態(tài)產(chǎn)品;工藝包含更多非標(biāo)準(zhǔn)的定向工藝步驟，如體硅工藝、背面工藝、高溫工藝、高深寬比蝕刻等;材料往往會(huì)涉及特殊材料，如相變材料、磁致伸縮材料、記憶合金材料等。

針對(duì)不同特殊半導(dǎo)體給予不同線寬政策

針對(duì)特殊半導(dǎo)體的“特殊性”，黃立提出如下建議：

第一，在國家促進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展政策，應(yīng)突出特殊半導(dǎo)體的戰(zhàn)略地位，針對(duì)不同的特殊半導(dǎo)體給予不同的線寬政策。如化合物半導(dǎo)體類和MEMS微機(jī)電類，線寬小于0.25微米的企業(yè)。給予該類企業(yè)所得稅最高“十免”優(yōu)惠政策——鼓勵(lì)符合條件的特殊半導(dǎo)體生產(chǎn)企業(yè)或項(xiàng)目，第一年至第十年免征企業(yè)所得稅。

第二，加快核心技術(shù)攻關(guān)，針對(duì)材料體系和特殊工藝給予相應(yīng)的配套政策，如針對(duì)非硅基的III-V、II-VI化合物半導(dǎo)體，及相關(guān)的多元材料外延工藝，給予專項(xiàng)扶持、市場(chǎng)準(zhǔn)入、人才認(rèn)定等持續(xù)支持，以彌補(bǔ)產(chǎn)業(yè)技術(shù)短板與政策缺失，實(shí)現(xiàn)傳感器產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展。