Conrad和同事們通過(guò)外延生長(zhǎng)生成半導(dǎo)體石墨烯的方法并不是全新的。在2006年，加州大學(xué)伯克利分校(the University of California in Berkeley)一個(gè)由Alessandra Lanzara領(lǐng)導(dǎo)的團(tuán)隊(duì)研究了在碳化硅上外延生長(zhǎng)的第二層石墨烯，并報(bào)道了其0.26eV的帶隙。Conrad說(shuō)他們團(tuán)隊(duì)的工作的主要區(qū)別在于生長(zhǎng)技術(shù)的改進(jìn)。“事實(shí)證明，要得到這個(gè)帶隙，結(jié)晶順序是非常重要的，而他們并不知道。”他解釋說(shuō)。

當(dāng)Conrad和同事們嘗試在僅僅低于他們常用溫度20℃的溫度下制造石墨烯，帶隙就不存在了。Conrad用硅電子學(xué)發(fā)展初期來(lái)比喻這樣的進(jìn)展，“如果你回到20世紀(jì)60年代硅晶體管的初期，關(guān)鍵在于尋找不可思議的高度有序的晶體。”他說(shuō)。在這個(gè)階段，碳化硅晶片的高昂價(jià)格并不重要，他補(bǔ)充道。“第一個(gè)出售的硅晶體管售價(jià)為1500美元。重點(diǎn)是，你要先造出設(shè)備，然后才考慮費(fèi)用。”

Conrad宣稱(chēng)，喬治亞理工學(xué)院的同事已經(jīng)使用了他的半導(dǎo)體石墨烯來(lái)制造晶體管，開(kāi)關(guān)電流比可以達(dá)到100萬(wàn)比1——這是正規(guī)電子產(chǎn)品要求的十倍。“所以，它開(kāi)始變得能用了。”他說(shuō)。