空間輻射環(huán)境主要來自宇宙射線、太陽耀斑輻射及環(huán)繞地球的內外范·艾倫輻射帶等。雖然輻射劑量率很低，不同軌道的劑量率范圍一般在0.0001～0.01rad(Si)/s之間，但由于它是一個累積效應，當劑量率累計到一定值時，將導致電子器件的性能發(fā)生變化，嚴重時將導致器件完全失效，使電子設備不能正常工作。目前運行的衛(wèi)星在其有效壽命里，內部將會受到的總劑量為102～104Gy(Si)的輻射。單粒子效應(SEE)是空間電子系統(tǒng)必須面對和需要解決的另一個空間輻射問題。自1975年發(fā)現單個高能粒子能引起CMOS器件發(fā)生鎖定(SEL)以來，不斷發(fā)現由單粒子引起的器件失效情況，包括功率MOS器件發(fā)生燒毀(SEB)、單粒子柵穿(SEGR)、單粒子翻轉(SEU)等現象。隨著器件集成度的提高，以及工作電壓的降低，器件對單粒子效應的敏感度也大幅度提高，成為影響航天器在軌運行的重要因素。核輻射環(huán)境主要由α、β、中子、γ射線及核電磁脈沖組成。高空核爆炸產生的瞬時輻射環(huán)境的時間很短(一般為10～15s)。瞬態(tài)劑量率輻射效應、中子輻射位移損傷效應以及瞬態(tài)輻射的次級效應，對于戰(zhàn)略武器和航天器的電子系統(tǒng)，都是必須重視的瞬時損傷因素。因此運行在輻射環(huán)境的航天型號在選擇電子器件時，必須根據器件承受的輻射環(huán)境，選擇具有足夠抗輻射能力的器件，并留有一定的余量，以保證所選器件在輻射環(huán)境中穩(wěn)定可靠地運行。