AW3208除了集成的K-Charge技術(shù)，由于AW3208采用的是DFN2X2-8L的封裝，在芯片的底部有很大的一個(gè)散熱片，相對(duì)于MT6236 早期BJT+NMOS的方案，在散熱跟最大功耗性能上有很大的提高。左下圖為AW3208測(cè)試demo，飛線到MT6235整機(jī)做實(shí)際充電測(cè)試，在 ACIN=5.25，VBAT=3.3V（采用安捷倫電源 ），手機(jī)充電設(shè)置為800mA，充電時(shí)間持續(xù)4小時(shí)，板子溫度符合上海某大型IDH標(biāo)準(zhǔn)（溫度不超過(guò)室溫15度）。

注1：GATDRV上外接1uF電容，確保激活過(guò)放電池
       注2：1KΩ確保無(wú)需調(diào)整充電軟件

USB在快速充電中的方案
       現(xiàn)在幾乎所有的手機(jī)都支持USB充電，USB接口的電流是500mA,電壓是＋5V，如果在插USB充電時(shí)還是按原先插充電器的快充模式，可能會(huì)因?yàn)閁SB接口沒(méi)法提供快充這么大的電流導(dǎo)致充電失敗。針對(duì)這種快充的應(yīng)用，目前的建議解決方法是需要修改充電的軟件流程，在軟件檢測(cè)到VCHG電壓的時(shí)候，先不要打開(kāi)充電模塊，執(zhí)行檢測(cè)是否USB充電，如果是充電電流執(zhí)行正常的充電模式，否則支持快充模式。

    AW3208快充方案在layout中的注意事項(xiàng)
         AW3208不但可以支持國(guó)內(nèi)充電器實(shí)現(xiàn)快速充電，同時(shí)由于AW3208集成了降壓OVP的功能，也可以支持海外諾基亞充電器輸出電壓較高時(shí)的快充充電。高電壓帶來(lái)的必然是高功耗，為了確保AW3208能夠?qū)崿F(xiàn)最大且最可靠的充電電流，請(qǐng)確保AW3208的散熱片是接到PCB的主地，且最好是把AW3208放置在板子中間，方便芯片散熱。