【儀器儀表商情網(wǎng) 解決方案】這里，我們先著重討論當寄生電容直接耦合到電源輸入電線時會發(fā)生的情況。

1.只需幾fF的雜散電容就會導(dǎo)致EMI掃描失敗。從本質(zhì)上講，開關(guān)電源具有提供高 dV/dt 的節(jié)點。寄生電容與高 dV/dt 的混合會產(chǎn)生 EMI 問題。在寄生電容的另一端連接至電源輸入端時，會有少量電流直接泵送至電源線。

2.查看電源中的寄生電容。我們都記得物理課上講過，兩個導(dǎo)體之間的電容與導(dǎo)體表面積成正比，與二者之間的距離成反比。查看電路中的每個節(jié)點，并特別注意具有高 dV/dt 的節(jié)點。想想電路布局中該節(jié)點的表面積是多少，節(jié)點距離電路板輸入線路有多遠。開關(guān) MOSFET 的漏極和緩沖電路是常見的罪魁禍首。

3.減小表面面積有技巧。試著盡量使用表面貼裝封裝。采用直立式 TO-220 封裝的 FET 具有極大的漏極選項卡(draintab)表面面積，可惜的是它通常碰巧是具有最高dV/dt的節(jié)點。嘗試使用表面裝 DPAK 或 D2PAK FET 取代。在 DPAK 選項卡下面的低層 PCB 上安放一個初級接地面板，就可良好遮蔽 FET 的底部，從而可顯著減少寄生電容。

有時候表面面積需要用于散熱。如果您必須使用帶散熱片的 TO-220 類 FET，嘗試將散熱片連接至初級接地(而不是大地接地)。這樣不僅有助于遮蔽 FET，而且還有助于減少雜散電容。