1. EEPROM單元壞與不壞界線很是模糊. EEPROM單元能寫入信息是因為它的浮柵能俘獲電子并將其困在其中. 但隨著時間的推移電子由于熱運動或外界給予能量會逐漸逃逸, 所以說EEPROM保持信息是有一定年限的(比如100年). 寫入與擦除信息即是向浮柵注入和釋放電子,電子能量比較高,可能改變周圍的晶格結構,導致浮柵俘獲電子能力的下降,也就是表現(xiàn)為保存信息的時間變短, 所以才會有一個保守的寫入次數(shù)限制(這里說保守是因為半導體的離散性大,實際的次數(shù)大得多). 到了規(guī)定寫入次數(shù)并不是說該單元就壞了, 而是說該單元保持信息的時間已不可信賴(而實際上它可能還能保存相當長時間甚至幾十上百年),所以實際上短時間很難判定某個單元是否可用(壞了). 如匠人的方法檢測, 寫入時測試好好的, 可能幾秒鐘之后該單元的數(shù)就逃了.
2. 寫壞一個單元是很費時間的, "這個方法，小匠使用過多次，證明是可行的。不知匠人在使用過程中是否碰到過有寫壞的情況。
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