對HBLED施加的反向偏置電流可以實現(xiàn)反向擊穿電壓（VR）的測試。該測試電流的設置應當使所測得的電壓值不再隨著電流的輕微增加而顯著上升。在更高的電壓下，反向偏置電流的大幅增加所造成的反向電壓的變化并不顯著。VR的測試方法是，在一段特定時間內輸出低反向偏置電流，然后測量HBLED兩端的電壓降。其結果一般為數(shù)十伏特。
對HBLED施加的反向偏置電流可以實現(xiàn)反向擊穿電壓（VR）的測試。該測試電流的設置應當使所測得的電壓值不再隨著電流的輕微增加而顯著上升。在更高的電壓下，反向偏置電流的大幅增加所造成的反向電壓的變化并不顯著。VR的測試方法是，在一段特定時間內輸出低反向偏置電流，然后測量HBLED兩端的電壓降。其結果一般為數(shù)十伏特。
關鍵詞: 瀏覽量：804
聲明：凡本網注明"來源：儀商網"的所有作品，版權均屬于儀商網，未經本網授權不得轉載、摘編使用。
經本網授權使用，并注明"來源：儀商網"。違反上述聲明者，本網將追究其相關法律責任。
本網轉載并注明自其它來源的作品，歸原版權所有人所有。目的在于傳遞更多信息，并不代表本網贊同其觀點或證實其內容的真實性，不承擔此類作品侵權行為的直接責任及連帶責任。如有作品的內容、版權以及其它問題的，請在作品發(fā)表之日起一周內與本網聯(lián)系，否則視為放棄相關權利。
本網轉載自其它媒體或授權刊載，如有作品內容、版權以及其它問題的，請聯(lián)系我們。相關合作、投稿、轉載授權等事宜，請聯(lián)系本網。
QQ：2268148259、3050252122。
 |
 |
 粵公網安備 44010502000033號 |
粵ICP備16022018號-4 |
