最近，中科院半導(dǎo)體研究所超晶格國家重點實驗室牛智川團(tuán)隊在銻化物半導(dǎo)體單模和大功率量子阱激光器研究方面取得新突破。
金屬光柵側(cè)向耦合分布反饋(LC-DFB)量子阱單模激光器實現(xiàn)2μm波段高邊模抑制比(～53dB)下的高功率(>40mW)室溫連續(xù)輸出。FP腔量子阱大功率激光器單管和巴條組件分別實現(xiàn)1.62瓦和16瓦的室溫連續(xù)輸出功率，一舉突破高端激光器進(jìn)口限制性能的規(guī)定條款。
CPB文章中大功率線陣激光器功率圖
牛智川研究團(tuán)隊近年來在國家973重大科學(xué)研究計劃、國家自然科學(xué)基金委重大項目及重點項目等的支持下，深入研究了銻化物半導(dǎo)體的材料基礎(chǔ)物理、異質(zhì)結(jié)低維材料外延生長和光電器件的制備技術(shù)等，系統(tǒng)性掌握了銻化物量子阱、超晶格低維材料物理特性理論分析和分子束外延生長方法，在突破了銻化物量子阱激光器的刻蝕與鈍化等核心工藝技術(shù)基礎(chǔ)上，創(chuàng)新設(shè)計金屬光柵側(cè)向耦合分布反饋(LC-DFB)結(jié)構(gòu)成功實現(xiàn)了2μm波段高性能單模激光器，邊模抑制比達(dá)到53dB是目前同類器件的最高值，同時輸出功率達(dá)到40mW是目前同類器件的3倍以上。
