與十年前相比，現(xiàn)在的電子產(chǎn)品具有更多的功能。工程師們不得不設(shè)計(jì)精密的系統(tǒng)，常以“創(chuàng)造性”滿足嚴(yán)格的功率預(yù)算，以保持高能效。預(yù)測(cè)系統(tǒng)的維護(hù)和保護(hù)需要快速反應(yīng)系統(tǒng)的響應(yīng)。一個(gè)關(guān)鍵功能是監(jiān)測(cè)系統(tǒng)的電流消耗和壓降。
在所有的電流檢測(cè)法中，使用放大器監(jiān)測(cè)分流的電流是到目前為止最常用的方法。電流檢測(cè)可以使用電流檢測(cè)放大器(CSA)或帶有外部增益設(shè)置電阻的運(yùn)算放大器(Op Amp)來實(shí)現(xiàn)(圖1)。這兩者的選擇，取決于性能要求和物料單(BOM) 的目標(biāo)成本。
圖1(a)帶有外部增益設(shè)置電阻的運(yùn)算放大器 圖1(b)電流檢測(cè)
Typical op amp current sensing requires 2 to 4 precision resistors：普通的運(yùn)放電流檢測(cè)需要2至4個(gè)精密的電阻，NCS21xR has integrated precision resistors：NCS21xR集成精密的電阻。
從性能的角度，增益設(shè)置電阻之間的不匹配會(huì)影響電流測(cè)量的精度，繼而影響并聯(lián)器件的尺寸。其他設(shè)計(jì)考慮因素包括器件規(guī)格(輸入偏置電壓、共模抑制、增益誤差)、并聯(lián)器件尺寸、分流位置和PCB布局。我們將在隨后的博客中深入分析這些因素?，F(xiàn)在，讓我們大體看看這些因素。
我們選取了四個(gè)放大器(LM358，NCS20081，NCS333和NCS214R)，比較從通用到精密放大器(圖2和圖3中從左到右)的性能優(yōu)勢(shì)。
NCV214R集成增益設(shè)置電阻，以獲得更好的匹配和共模性能。其他的則需要外部電阻網(wǎng)絡(luò)。假設(shè)在LM 358、NCS20081和NCS333的性能比較中使用了匹配的電阻網(wǎng)絡(luò)。NCS214R提供最高的精度(圖2)和極高能效的方案(圖3)。
圖2：對(duì)于固定的分流壓降(例如50 mv)，偏置誤差有幾個(gè)數(shù)量級(jí)的差異
With a 50 mV shunt drop: 14% offset error
50 mV分流壓降：14%偏置誤差
With a 50 mV shunt drop: 7% offset error
50 mV分流壓降：7%偏置誤差
With a 50 mV shunt drop: 0.02% offset error
50 mV分流壓降：0.02%偏置誤差
With a 50 mV shunt drop: 0.12% offset error
50 mV分流壓降：0.12%偏置誤差
Reduce offset voltage：減小偏置電壓
Improve accuracy：提高精確度
System performance improves：系統(tǒng)性能提升
圖3：若要實(shí)現(xiàn)最大的系統(tǒng)能效，對(duì)于固定的偏置誤差，較低的分流壓降會(huì)降低功耗
To achieve 2% offset error: 350 mV shunt drop
要達(dá)到2%偏置誤差：分流壓降350 mV
To achieve 2% offset error: 175 mV shunt drop
要達(dá)到2%偏置誤差：分流壓降175 mV
To achieve 2% offset error: 0.5 mV shunt drop
要達(dá)到2%偏置誤差：分流壓降0.5 mV
To achieve 2% offset error: 3 mV shunt drop
要達(dá)到2%偏置誤差：分流壓降3 mV
Reduce voltage dro across sense resistor：減小檢測(cè)電阻壓降
Reduce power dissipation：降低功耗
System efficiency improves：系統(tǒng)能效提升
