圖5 去耦電容安裝在Pkg和PCB上

如圖5所示，我們擺放電容的位置分三種情況，一是在Pkg上加52顆，二是在PCB上加63顆，三是在Pkg和PCB上同時各放置52和63顆，電容值大小為100nF, ESR、ESL分別為0.04ohm、0.63nH。量測結(jié)果如圖6。

圖6 加去耦電容于不同位置的|S21|比較圖

首先，把低頻到5Ghz分成三個階段，首先，開始低頻到500Mhz左右，不管在Pkg或PCB上加去耦電容，相比沒有加電容，都可以大大降低結(jié)構(gòu)阻抗，減少GBN干擾。第二，對于0.5Ghz～2Ghz，在Pkg上和同時在Pkg與PCB上加去耦電容，對噪聲抑制效果差不多。可是如果只在PCB上加電容，可以看到在800Mhz附近多了一個共振點，這比沒有加電容時更糟。所以我們只在PCB上加電容時要特別注意，可能加上電容后電源噪聲更嚴重。第三，從2Ghz～5Ghz，三種加電容方式與沒加電容相比，效果并不明顯，因為此階段超過了電容本身的共振頻率，由于電容ESL的影響，隨著頻率升高，耦合電容逐漸失去作用，對較高頻的噪聲失去抑制效果。

去耦電容ESR的影響

在Pkg結(jié)合PCB結(jié)構(gòu)上，放置12顆去耦電容，同時改變?nèi)ヱ铍娙莸腅SR，模擬結(jié)果如圖7所示?？梢园l(fā)現(xiàn)，當(dāng)ESR值越來越大，會將極點鏟平，同時零點也被填平，使S21成為較為平坦的曲線。

圖7 去耦電容的ESR對|S21|的影響

去耦電容ESL的影響

在Pkg結(jié)合PCB結(jié)構(gòu)上，放置12顆去耦電容，同時改變?nèi)ヱ铍娙莸腅SL，模擬結(jié)果如圖8所示。從圖中我們發(fā)現(xiàn)，ESL越大，共振點振幅越大，且有往低頻移動的趨勢，對噪聲的抑制能力越低。

圖8 去耦電容的ESL對|S21|的影響

去耦電容數(shù)量的影響

由前面的結(jié)果知道，電容放在封裝上效果更好，所以對電容數(shù)量的探討，以在Pkg上為主。在前述Pkg+PCB的結(jié)構(gòu)上，Pkg上電容的放置方式如圖9，模擬結(jié)果如圖10。