圖5、控制器初始接地位置

當(dāng)DCDC模塊工作時(shí)，DC+和DC-輸出線會(huì)攜帶很強(qiáng)的干擾電流，DC-直接與機(jī)殼相連。測(cè)試模型圖如圖6所示，當(dāng)沒有接地點(diǎn)B時(shí)，干擾電流主要通過DC輸出線與接地參考平面之間的雜散電容形成回路；當(dāng)在DC+和DC-之間增加接地點(diǎn)B時(shí)，恰好為干擾電流提供了直接的低阻抗通路，就會(huì)出現(xiàn)地環(huán)路電流，導(dǎo)致更大的共模電流，進(jìn)而出現(xiàn)傳導(dǎo)發(fā)射超標(biāo)的現(xiàn)象。

圖6、測(cè)試系統(tǒng)模型圖（接地點(diǎn)C是測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)要求的：低壓蓄電池負(fù)極接地）

3、地環(huán)路干擾問題的解決

地環(huán)路干擾產(chǎn)生的內(nèi)在原因是地環(huán)路電流的存在，地環(huán)路電流是因?yàn)閮蓚€(gè)接地點(diǎn)的電位不同形成電壓導(dǎo)致的。常用的解決地環(huán)路干擾問題的方法有單點(diǎn)接地，采用隔離變壓器或光耦隔離器隔離，安裝共模扼流圈增加地環(huán)路阻抗等。在本整改測(cè)試試驗(yàn)中，只需要將增加的接地點(diǎn)遠(yuǎn)離DCDC輸出線，保證兩個(gè)接地點(diǎn)的電位相近，就可以避免和減弱地環(huán)路干擾。如圖7所示，將增加的接地點(diǎn)布置在機(jī)器的另一側(cè)，遠(yuǎn)離干擾輸出端，就可以避免6.1M超標(biāo)同時(shí)抑制32M、41M和65M干擾點(diǎn)，如圖8所示，結(jié)合其他措施，就可以通過傳導(dǎo)發(fā)射試驗(yàn)。

圖8、更改接地點(diǎn)位置之后的掃描結(jié)果

4、總結(jié)

兩點(diǎn)接地和多點(diǎn)接地很容易引起地環(huán)路干擾問題，在機(jī)器外殼有輸出線纜時(shí)應(yīng)尤為注意，防止接地點(diǎn)的電位相差過大，當(dāng)頻率比較低時(shí)，應(yīng)盡量選擇單點(diǎn)接地。接地技術(shù)是解決電磁兼容問題最簡便成本最低的技術(shù)，同時(shí)也是最有講究的技術(shù)，所以在設(shè)計(jì)前期多考慮接地方式、接地位置對(duì)后續(xù)EMC測(cè)試與整改會(huì)有很大幫助。