圖6 ，N溝道增強型MOSFET的簡化模型
比率式 - 電流檢測MOSFET
MOSFET由成千上萬個能降低導通電阻的并聯(lián)的晶體管元胞構(gòu)成。檢流MOSFET使用一少部分并聯(lián)元胞，連到共柵極和漏極，但源極是分開的（圖7）。這樣就產(chǎn)生了第2個隔離的晶體管，即“檢測”晶體管。當晶體管導通時，流經(jīng)檢測晶體管的電流與流經(jīng)其他元胞的主電流成一定比例。
精度公差的范圍取決于具體的晶體管產(chǎn)品，低的達到5%，高的可以達到15%到20%。這種方法通常不適合一般要求測量精度達到1%的電流控制應(yīng)用，但適合過流和短路保護。
圖 7
從上面的總結(jié)表可以看出，探測電路中電流的方法有很多種，要根據(jù)應(yīng)用特定的需求來選擇合適的方法。每種方法均有其優(yōu)點和短板，這些因素都要在設(shè)計中加以仔細考量。
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