為了便于說明，我們?cè)谇€上疊加了技術(shù)圖，指示哪種技術(shù)對(duì)不 同范圍的天線元件數(shù)量最佳。注意：不同技術(shù)之間存在重疊，這 是因?yàn)槊糠N技術(shù)都有一個(gè)適用的值范圍。另外，根據(jù)工藝和電路設(shè)計(jì)實(shí)踐，具體技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)的性能也有一個(gè)范圍。元件非常少時(shí)，各鏈需要高功率PA（GaN和GaAs），但當(dāng)元件數(shù)量超過200時(shí)， P1dB降到20dBm以下，處于硅工藝可以滿足的范圍。當(dāng)元件數(shù)量 超過500時(shí)，PA性能處于當(dāng)前CMOS技術(shù)就能實(shí)現(xiàn)的范圍。
現(xiàn)在考慮元件增加時(shí)天線Tx系統(tǒng)的功耗，如圖3所示。同預(yù)期一樣，功耗與天線增益成反比關(guān)系，但有一個(gè)限值。超過數(shù)百元件時(shí)，PA的功耗不再占主導(dǎo)地位，導(dǎo)致效益遞減。
圖3. 天線增益與天線Tx部分直流功耗的關(guān)系
