下面將介紹圖1的電機(jī)用電源解決方案中的（1）功率元器件、（3）IPM和（5）控制電路內(nèi)置型IPM。
功率元器件
ROHM以全球首家量產(chǎn)溝槽式結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET等引領(lǐng)行業(yè)發(fā)展的SiC元器件為中心，不斷強(qiáng)化可在高耐壓、大電流的大功率領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)更低損耗的功率元器件產(chǎn)品陣容。
SiC以外的元器件，也通過改良集IGBT和Super Junction MOSFET的各自優(yōu)良特性（大電流特性、低電流特性、高速開關(guān)特性）于1枚芯片的HybridMOS和Super Junction MOSFET，利用高速Trr（反向恢復(fù)時間）實(shí)現(xiàn)更低損耗的ROHM獨(dú)有的PrestoMOS等，推進(jìn)靈活運(yùn)用原材料特點(diǎn)的功率元器件開發(fā)。（圖2）
關(guān)鍵詞:儀器儀表 測試測量 電機(jī) 解決方案 瀏覽量：871
聲明：凡本網(wǎng)注明"來源：儀商網(wǎng)"的所有作品，版權(quán)均屬于儀商網(wǎng)，未經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)不得轉(zhuǎn)載、摘編使用。
經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)使用，并注明"來源：儀商網(wǎng)"。違反上述聲明者，本網(wǎng)將追究其相關(guān)法律責(zé)任。
本網(wǎng)轉(zhuǎn)載并注明自其它來源的作品，歸原版權(quán)所有人所有。目的在于傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)贊同其觀點(diǎn)或證實(shí)其內(nèi)容的真實(shí)性，不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。如有作品的內(nèi)容、版權(quán)以及其它問題的，請在作品發(fā)表之日起一周內(nèi)與本網(wǎng)聯(lián)系，否則視為放棄相關(guān)權(quán)利。
本網(wǎng)轉(zhuǎn)載自其它媒體或授權(quán)刊載，如有作品內(nèi)容、版權(quán)以及其它問題的，請聯(lián)系我們。相關(guān)合作、投稿、轉(zhuǎn)載授權(quán)等事宜，請聯(lián)系本網(wǎng)。
QQ：2268148259、3050252122。
 |
 |
 粵公網(wǎng)安備 44010502000033號 |
粵ICP備16022018號-4 |
